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談談SiC MOSFET的短路能力

在(zai)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)的(de)很(hen)多(duo)應(ying)用(yong)，如(ru)電(dian)機(ji)驅(qu)動(dong)，有(you)時(shi)會(hui)出(chu)現(xian)短(duan)路(lu)的(de)工(gong)況(kuang)。這(zhe)就(jiu)要(yao)求(qiu)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)有(you)一(yi)定(ding)的(de)扛(kang)短(duan)路(lu)能(neng)力(li)，即(ji)在(zai)一(yi)定(ding)的(de)時(shi)間(jian)內(nei)承(cheng)受(shou)住(zhu)短(duan)路(lu)電(dian)流(liu)而(er)不(bu)損(sun)壞(huai)。目(mu)前(qian)市(shi)麵(mian)上(shang)大(da)部(bu)分(fen)IGBT都會在數據手冊中標出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛淩IGBT3/4的短路時間是10us，IGBT7短路時間是8us。而大部分的 SiC MOSFET 都沒有標出短路能力，即使有，也比較短，例如英飛淩的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標稱短路時間是3us，EASY封裝器件標稱短路時間是2us。

2024-02-01
門極驅動正壓對功率半導體性能的影響

無論是MOSFET還是IGBT，都(dou)是(shi)受(shou)門(men)極(ji)控(kong)製(zhi)的(de)器(qi)件(jian)。在(zai)相(xiang)同(tong)電(dian)流(liu)的(de)條(tiao)件(jian)下(xia)，一(yi)般(ban)門(men)極(ji)電(dian)壓(ya)用(yong)得(de)越(yue)高(gao)，導(dao)通(tong)損(sun)耗(hao)越(yue)小(xiao)。因(yin)為(wei)門(men)極(ji)電(dian)壓(ya)越(yue)高(gao)意(yi)味(wei)著(zhe)溝(gou)道(dao)反(fan)型(xing)層(ceng)強(qiang)度(du)越(yue)強(qiang)，由(you)門(men)極(ji)電(dian)壓(ya)而(er)產(chan)生(sheng)的(de)溝(gou)道(dao)阻(zu)抗(kang)越(yue)小(xiao)，流(liu)過(guo)相(xiang)同(tong)電(dian)流(liu)的(de)壓(ya)降(jiang)就(jiu)越(yue)低(di)。不(bu)過(guo)器(qi)件(jian)導(dao)通(tong)損(sun)耗(hao)除(chu)了(le)受(shou)這(zhe)個(ge)門(men)極(ji)溝(gou)道(dao)影(ying)響(xiang)外(wai)，還(hai)和(he)芯(xin)片(pian)的(de)厚(hou)度(du)有(you)很(hen)大(da)的(de)關(guan)係(xi)，一(yi)般(ban)越(yue)薄(bo)的(de)導(dao)通(tong)損(sun)耗(hao)越(yue)小(xiao)，所(suo)以(yi)同(tong)等(deng)芯(xin)片(pian)麵(mian)積(ji)下(xia)寬(kuan)禁(jin)帶(dai)的(de)器(qi)件(jian)導(dao)通(tong)損(sun)耗(hao)要(yao)小(xiao)得(de)多(duo)。而(er)相(xiang)同(tong)材(cai)料(liao)下(xia)耐(nai)壓(ya)越(yue)高(gao)的(de)器(qi)件(jian)就(jiu)會(hui)越(yue)厚(hou)，導(dao)通(tong)損(sun)耗(hao)就(jiu)會(hui)變(bian)大(da)。這(zhe)種(zhong)由(you)芯(xin)片(pian)厚(hou)度(du)引(yin)起(qi)的(de)導(dao)通(tong)損(sun)耗(hao)不(bu)受(shou)門(men)極(ji)電(dian)壓(ya)影(ying)響(xiang)，所(suo)以(yi)器(qi)件(jian)耐(nai)壓(ya)越(yue)高(gao)，門(men)極(ji)電(dian)壓(ya)即(ji)使(shi)進(jin)一(yi)步(bu)增(zeng)大(da)對(dui)導(dao)通(tong)損(sun)耗(hao)貢(gong)獻(xian)是(shi)有(you)限(xian)的(de)。

2024-01-29
I-NPC三電平電路的雙脈衝及短路測試方法

雙脈衝測試(DPT)是一種被廣泛接受的評估功率器件動態特性的方法。以IGBTzailiangdianpingqiaoshidianluzhongyingyongweili，ruxiatu，tongguotiaojiezhiliumuxiandianyahediyigemaichongchixushijian，keyizaidiyigemaichongjieshuhediergemaichongkaishishibuzhuodaobeiceqijianzairenhesuoxudedianyahedianliutiaojianxiadekaiguanshuntaixingwei。DPT結果量化了功率器件的開關性能，並為功率變換器的設計（如開關頻率和死區時間的確定、熱管理和效率評估）提供了參考依據，那麼對於三電平電路，雙脈衝測試需要怎麼做呢？

2024-01-24
高隔離DC/DC轉換器提升電機運作的穩定性與安全性

在電機應用中，必須采用逆變器或轉換器進行電源轉換，采用高隔離DC/DC轉換器，將有助於提升電機運作的穩定性與安全性，這對高功率、高速電機係統尤為重要。本文將為您介紹IGBT/MOSFET/SiC/GaN柵極驅動DC-DC轉換器的相關技術，以及由Murata（村田製作所）所推出的一係列高隔離DC/DC轉換器的功能特性。

2024-01-19
超結MOS/IGBT在儲能變流器(PCS)上的應用

儲能變流器，又稱雙向儲能逆變器，英文名PCS(Power Conversion System)，是儲能係統與電網中間實現電能雙向流動的核心部件，用作控製電池的充電和放電過程，進行交直流的變換。

2024-01-09
超高壓MOS在變頻器上的應用

典型的AC380V變頻器應用框圖，主要包括輸入AC380V三相整流、三相逆變IGBT功率驅動、輔助電源等部分；其中輔助電源主要經過DC高壓降壓後為IGBT驅動IC、主控mcu、通訊模塊芯片等供電。

2024-01-02
SiC MOSFET用於電機驅動的優勢

低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關頻率（50-100kHz）來維持所需的紋波電流。然而，對於50kHz以上的調製頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無法滿足這些需求，如果是380V係統，矽MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開創了新的機會。

2023-12-20
泰克助力汽車測試及質量監控實現效率和創新最大化

對於功率器件工程師而言，最大限度降低開關損耗是一項嚴峻挑戰，尤其對於那些使用碳化矽 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 器件的工程師更是如此。這種先進材料有望提高效率，但也有其自身的複雜性。測量矽 (Si)、碳化矽 (SiC) 和氮化镓金屬氧化物半導體場效應晶體管 (GaN MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 的開關參數，並評估其動態行為的標準方法是雙脈衝測試 (DPT)。

2023-12-05
如何優化SiC柵級驅動電路？

對於高壓開關電源應用，碳化矽或 SiC MOSFET 與傳統矽 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控製的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓開關，同時開關頻率等於或高於低壓矽 MOSFET 的開關頻率。之前的文章中，我們介紹了SiC MOSFET 特有的器件特性。今天將帶來本係列文章的第二部分SiC柵極驅動電路的關鍵要求和NCP51705 SiC 柵極驅動器的基本功能。

2023-11-29
商業、建築和農業車輛應用中TO-247PLUS分立封裝的回流焊接

今天，功率半導體為很多應用提供高功率密度的解決方案。如何將功率器件的發熱充分散出去是解決高功率密度設計的關鍵。通過使用IGBT焊接在雙麵覆銅陶瓷板(DCB)上可以幫助減少散熱係統的熱阻，前提是需要IGBT單管封裝支持SMD工藝。本文將展示一種可回流焊接的TO-247PLUS單管封裝，該封裝可將器件芯片到DCB基板的熱阻降至最低。

2023-11-21
SiC MOSFET 器件特性知多少？

對於高壓開關電源應用，碳化矽或 SiC MOSFET 與傳統矽 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數百 kHz 運行並非易事，即使是最好的超結矽 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由於其存在“拖尾電流”且關斷緩慢，因此僅限用於較低的工作頻率。因此，矽 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優勢。它是電壓控製的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓開關，同時開關頻率等於或高於低壓矽 MOSFET 的開關頻率。

2023-11-12
能實現更高的電流密度和係統可靠性的IGBT模塊

隨著全球對可再生能源的日益關注以及對效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產業不斷前行的關鍵。Nexperia（安世半導體）的 IGBT 產品係列優化了開關損耗和導通損耗, 兼顧馬達驅動需求的高溫短路耐受能力，實現更高的電流密度和係統可靠性。

2023-11-12

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