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佳仕達攜高能效綠色器件亮相中國(成都)電子展 掘金西部市場
西部市場吸引了眾多產業鏈上遊元器件供應商，分銷商和方案商的關注。深圳市佳仕達科技有限公司於2012年8月16-18日在成都世紀新城國際會展中心2 號館的中國(成都)電子展上以綠色、節能為主題，帶來了最新的場效應管、肖特基、快恢複、電源IC、可控矽等高效能綠色器件，憑借著高可靠的性能和優質的服務，為佳仕達進一步打開中國西部市場吹響了號角。
2012-09-14
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阻容元件對音頻放大器的影響及其選用
阻容元件是在音響設備中使用量最大的無源器件，近年來國內的音響製造商，在設計音源(CD或DVD)、功率放大器的過程中，非常重視集成塊(IC)、晶體三極管、場效應管及電子管等有源器件的選用，在電路設計、產品工藝等方麵取得了長足的進步。
2012-02-29
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大功率電源中MOSFET功率計算
要確定一個MOSFET場效應管是否適於某一特定應用，需要對其功率耗散進行計算。耗散主要包括阻抗耗散和開關耗散：PDDEVICETOTAL=PDRESISTIVE+PDSWITCHING
2012-02-07
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Buck電源中絕緣柵場效應管的驅動方法
單管降壓電源，拓撲很簡單，但由於MOSFET的源極電位不固定，驅動不是很容易。本文就斬波電源的不同驅動方式，分別就其電路的複雜性、驅動脈衝質量、價格成本以及工作頻率的適應性等方麵進行了分析和比較。
2012-01-19
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場效應管在音響電路中的合理應用
本文通過兩個容易被發燒友特別是初學者所忽略的要點來說明場效應管的合理應用。目前，應用於音響領域的場效應管包括結型管(JFET)和絕緣柵場效應管(MOsFET)，而後者又分為LDMOS、VMOS及近年出現的UHC、IGBT等，並且至今仍在不斷發展與完善之中。
2011-04-08
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CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場效應管
CISSOID，在高溫半導體方案的領導者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關)的新成員。火星是一個高溫度30V小訊號P-FET場效應管, 適合於-55 ℃至+225℃高溫可靠運作。 由於它耐於極端溫度,隻有14pF的輸入電容值及於+225° C下最高隻有400nA閘極漏電流。所以這30V晶體管非常適合於高溫度傳感器介麵,例如壓電傳感器或保護放大器。
2010-12-23
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RU75N08：銳駿推出專用MOSFET用於電動自行車控製
近年來,功率場效應管（MOSFET）在電源各個領域的應用越來越廣泛。然而擁有MOSFET的研發能力的公司僅限於國外的幾個半導體巨頭，國產場效應管幾乎是一片空白。 在這個背景下，深圳市銳駿半導體有限公司投巨資在國外建立了MOSFET半導體研發試驗室。
2010-10-11
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場效應管型號大全 場效應管型號大全pdf下載
場效應管型號大全 場效應管型號大全pdf下載
2010-08-27
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選擇高壓場效應管實現節能的技巧
高壓金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）技術在過去幾年中經曆了很大的變化，這為電源工程師提供了許多選擇。了解不同MOSFET器件的細微差別及不同切換電路的應力，能夠幫助工程師避免許多問題，並實現效率最大化。本文講述高壓場效應管如何實現節能。
2010-06-18
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IGBT在客車係統逆變器中的應用與保護
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(InsulatedGateBipolarTransistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應管的優點而發展的一種新型複合電子器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降的優點
2009-08-24
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基於場效應管的直流電機驅動控製電路設計
本文主要講了直流電機驅動控製電路總體結構，H橋功率驅動原理，直流電機驅動控製電路設計。
2008-10-30
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大功率寬帶射頻脈衝功率放大器設計
利用MOS場效應管(MOSFET)，采取AB類推挽式功率放大方式，采用傳輸線變壓器寬帶匹配技術，設計出一種寬頻帶高功率射頻脈衝功率放大器模塊，其輸出脈衝功率達1200W，工作頻段0.6M~10MHz。調試及實用結果表明，該放大器工作穩定，性能可靠。
2008-10-13
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