大家來找茬——任性的DDR2設計(上)
發布時間:2015-07-03 來源:周偉 一博科技 責任編輯:sherry
【導讀】前麵有講到設計人員因為沒有留意到DDR3主控沒有讀寫平衡功能,就按照常規的布線要求來走線,導致數據和時鍾信號長度差異較大,最終使得DDR3係統運行不到額定頻率。看來沒有讀寫平衡的DDR3,直接按照DDR2的設計規則來做還是比較靠譜的,那麼DDR2的設計到底有哪些規則呢?我想大家肯定會比較感興趣吧。
到底有哪些規則呢?所謂實踐出真理,還是先來看看下麵的這個案例吧!
這個DDR2係統采用8片顆粒表底貼的設計,地址、控製、命令信號一拖八,其餘信號一拖二,但最終的係統跑不起來。查看PCB設計,列出部分信號的截圖如下,先不評論,各位慢慢開始來找茬吧。

上圖高亮部分為時鍾信號(綠白)的走線,從主控芯片出來換層經過1300mil到分支過孔,此處端接一個100ohm差分阻抗,再從過孔處分支各走一段1250mil和1350mil的走線到表底兩個顆粒,其中一個顆粒再端接一個100歐姆差分電阻,其他的時鍾信號也大致如此。

圖中黃色高亮部分為地址信號走線,從主控芯片出來馬上第一級分支,再約600mil進行第二級分支,再一個分支經過1000mil進行第三級分支,另一分支在50mil左右也開始第三級分支,最後接0ohm串阻約1100mil到顆粒,其中在最邊上某一第三分支過孔處上拉一個47ohm電阻到Vtt,其他的地址、控製信號也大致如此結構。

再來看DQS信號,如上圖高亮玫紅白點信號,進過一級分支各0ohm串阻經350mil和738mil的線路到表底層顆粒,其他的差異不大。

最(zui)後(hou)再(zai)看(kan)數(shu)據(ju)信(xin)號(hao),圖(tu)中(zhong)黃(huang)色(se)高(gao)亮(liang)部(bu)分(fen),采(cai)用(yong)的(de)菊(ju)花(hua)鏈(lian)結(jie)構(gou),先(xian)到(dao)其(qi)中(zhong)一(yi)個(ge)顆(ke)粒(li),再(zai)到(dao)另(ling)一(yi)麵(mian)的(de)第(di)二(er)個(ge)顆(ke)粒(li),其(qi)他(ta)的(de)數(shu)據(ju)信(xin)號(hao)也(ye)是(shi)這(zhe)種(zhong)結(jie)構(gou)。
好了,其他的如電源我們就不用看了,看到這裏我們已經大致知道這個DDR2係統跑不起來是有原因的啦。
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