“無線”功率開關
發布時間:2011-01-31
中心議題:
達da到dao這zhe個ge目mu標biao的de最zui好hao方fang法fa,便bian是shi使shi用yong更geng有you效xiao率lv,也ye更geng智zhi能neng的de電dian子zi係xi統tong去qu替ti代dai汽qi車che的de機ji械xie及ji液ye壓ya係xi統tong。典dian型xing的de例li子zi有you以yi電dian動dong轉zhuan向xiang係xi統tong替ti代dai液ye壓ya或huo者zhe電dian動dong液ye壓ya係xi統tong;電力電機驅動替代連續運行的皮帶驅動係統,就像空調壓縮器、渦輪充電器,或其它的泵和風扇。即使是一些照明應用,如能夠節能的“高強度氣體放電燈”(HID)或LED燈(deng),也(ye)用(yong)來(lai)代(dai)替(ti)欠(qian)缺(que)效(xiao)率(lv)的(de)傳(chuan)統(tong)燈(deng)泡(pao)。最(zui)終(zhong),內(nei)燃(ran)引(yin)擎(qing)亦(yi)將(jiang)會(hui)由(you)具(ju)效(xiao)率(lv)的(de)電(dian)動(dong)電(dian)機(ji)所(suo)取(qu)代(dai),就(jiu)像(xiang)我(wo)們(men)現(xian)在(zai)於(yu)混(hun)合(he)動(dong)力(li)和(he)電(dian)動(dong)汽(qi)車(che)的(de)動(dong)力(li)係(xi)統(tong)所(suo)看(kan)到(dao)的(de)一(yi)樣(yang)。
汽車電子化也使國際整流器公司(IR)這些半導體供應商以開發高效率的電源管理解決方案為己任,從而盡量提高這些應用的能源效益。IR先(xian)進(jin)的(de)電(dian)源(yuan)管(guan)理(li)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)結(jie)合(he)了(le)非(fei)常(chang)先(xian)進(jin)的(de)矽(gui)技(ji)術(shu)及(ji)革(ge)命(ming)性(xing)的(de)新(xin)封(feng)裝(zhuang)技(ji)術(shu),能(neng)夠(gou)同(tong)時(shi)改(gai)善(shan)汽(qi)車(che)係(xi)統(tong)的(de)性(xing)能(neng)和(he)耐(nai)用(yong)性(xing)。特(te)別(bie)是(shi)在(zai)封(feng)裝(zhuang)方(fang)麵(mian),我(wo)們(men)為(wei)係(xi)統(tong)設(she)計(ji)師(shi)帶(dai)來(lai)創(chuang)新(xin)解(jie)決(jue)方(fang)案(an),以(yi)及(ji)設(she)計(ji)ECU、電機驅動和電源的新方法。
現今的矽技術實現了非常好的開關,例如最新的溝道MOSFET和IGBT。不過,相關的封裝技術經常利用十分保守的焊接方法把矽芯片裝貼到基片或鉛框架,並且以鍵合線連接其表麵。早在2002年,IR已(yi)經(jing)開(kai)始(shi)發(fa)展(zhan)新(xin)的(de)連(lian)接(jie)界(jie)麵(mian),希(xi)望(wang)通(tong)過(guo)簡(jian)單(dan)的(de)封(feng)裝(zhuang),就(jiu)能(neng)把(ba)我(wo)們(men)最(zui)好(hao)的(de)矽(gui)技(ji)術(shu)連(lian)接(jie)到(dao)電(dian)力(li)電(dian)路(lu),還(hai)把(ba)電(dian)流(liu)和(he)熱(re)流(liu)的(de)界(jie)麵(mian)減(jian)到(dao)最(zui)少(shao)。最(zui)終(zhong)的(de)成(cheng)果(guo)是(shi),我(wo)們(men)開(kai)發(fa)出(chu)免(mian)除(chu)鍵(jian)合(he)線(xian)的(de)DirectFET技術。這種技術的實現有賴於矽開關的正麵金屬可焊,以便使由簡單金屬外殼包圍的MOSFET可直接焊接到印刷電路板。圖1和圖2所展示的概念主要是設計簡單、盡jin量liang減jian少shao物wu料liao和he界jie麵mian,最zui特te別bie的de是shi無wu需xu再zai用yong鍵jian合he線xian去qu達da到dao最zui好hao的de電dian力li和he溫wen度du性xing能neng。此ci外wai,這zhe個ge概gai念nian也ye能neng夠gou提ti高gao汽qi車che係xi統tong的de質zhi量liang和he可ke靠kao性xing,因yin為wei它ta消xiao除chu了le汽qi車che功gong率lv周zhou期qi中zhong的de主zhu導dao失shi效xiao模mo式shi:也就是所謂的鍵合線脫離。

圖1:DirectFET焊接在PCB上。

圖2:DirectFET的橫切麵:矽芯片的溫度和電力接口盡量縮小尺寸,同時電力和溫度性能也遠遠超出采用鍵合線的標準封裝。
直接封裝概念非常適合同時要求卓越性能、質量、耐用性和長久可靠性的汽車應用。與此同時,IR優化了DirectFET概念,結果造就了我們在今年初推出、全麵汽車認可的DirectFET2產品線。有關的汽車芯片由一個小外殼包圍,讓的客戶可以為其電子控製單元和功率級引入非常創新的設計概念。這些DirectFET2開關能夠通過不同的方法散熱,包括從器件的上方散熱,免除了組件要通過PCB,甚至利用ECU外殼兩側進行冷卻的需要,也不用藉著在ECU設(she)計(ji)裏(li)的(de)其(qi)它(ta)散(san)熱(re)部(bu)分(fen)來(lai)降(jiang)低(di)溫(wen)度(du)。客(ke)戶(hu)因(yin)而(er)可(ke)生(sheng)產(chan)專(zhuan)有(you)的(de)係(xi)統(tong)解(jie)決(jue)方(fang)案(an),從(cong)而(er)在(zai)其(qi)它(ta)采(cai)用(yong)標(biao)準(zhun)封(feng)裝(zhuang)零(ling)件(jian)和(he)鍵(jian)合(he)線(xian)的(de)競(jing)爭(zheng)對(dui)中(zhong)脫(tuo)穎(ying)而(er)出(chu)。

圖3:汽車用DirectFET2的各種創新散熱方法選擇
IR將其無鍵合線策略伸延到所有汽車用的功率開關。其最新一代的IGBT也具備IR專有的正麵金屬可焊技術,提供完全沒有鍵合線的芯片連接,也為采用IGBT和二極管的高電壓係統實現了雙麵散熱概念。據我所知,IR是首家以裸芯片搭配正麵金屬可焊技術來推出商用汽車認可IGBT的公司,使擁有矽處理能力的客戶可以建立和設計它們自己的雙麵散熱無鍵合線功率模塊或功率級。有了IR的正麵金屬可焊器件,平常無法接觸專有矽技術的係統設計師,現在也可享受“無線汽車電源管理”的世界。
除了裸芯片,IR亦將提供專有的芯片載體解決方案。該方案附有正麵金屬可焊IGBT,來支持那些生產線沒有能力處理裸芯片的客戶。最先進的高性能IGBT是以非常纖薄的晶圓製造,厚度僅為60到70weimi。zhexieguijingyuanjiboqiejudanxing,jiuruzhizhangyiyang,suoyibixushiyongjiweizhuanyedechengxuheangguideqicaiquchuli。henduodiyijihedierjidexitonggongyingshangdoubuyuanyitouzizhezhongangguideqicai,yebuxiangjinglixuyaochangjiuxuexicaihuishuliandexianboxinpianchuliguocheng,gengbuxiwangyaochengshouboxinpianchuliqijianfeichanggaodelianglvhaosun。
- 無線功率開關
- 開關直接封裝
- 無鍵合線開關
達da到dao這zhe個ge目mu標biao的de最zui好hao方fang法fa,便bian是shi使shi用yong更geng有you效xiao率lv,也ye更geng智zhi能neng的de電dian子zi係xi統tong去qu替ti代dai汽qi車che的de機ji械xie及ji液ye壓ya係xi統tong。典dian型xing的de例li子zi有you以yi電dian動dong轉zhuan向xiang係xi統tong替ti代dai液ye壓ya或huo者zhe電dian動dong液ye壓ya係xi統tong;電力電機驅動替代連續運行的皮帶驅動係統,就像空調壓縮器、渦輪充電器,或其它的泵和風扇。即使是一些照明應用,如能夠節能的“高強度氣體放電燈”(HID)或LED燈(deng),也(ye)用(yong)來(lai)代(dai)替(ti)欠(qian)缺(que)效(xiao)率(lv)的(de)傳(chuan)統(tong)燈(deng)泡(pao)。最(zui)終(zhong),內(nei)燃(ran)引(yin)擎(qing)亦(yi)將(jiang)會(hui)由(you)具(ju)效(xiao)率(lv)的(de)電(dian)動(dong)電(dian)機(ji)所(suo)取(qu)代(dai),就(jiu)像(xiang)我(wo)們(men)現(xian)在(zai)於(yu)混(hun)合(he)動(dong)力(li)和(he)電(dian)動(dong)汽(qi)車(che)的(de)動(dong)力(li)係(xi)統(tong)所(suo)看(kan)到(dao)的(de)一(yi)樣(yang)。
汽車電子化也使國際整流器公司(IR)這些半導體供應商以開發高效率的電源管理解決方案為己任,從而盡量提高這些應用的能源效益。IR先(xian)進(jin)的(de)電(dian)源(yuan)管(guan)理(li)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)結(jie)合(he)了(le)非(fei)常(chang)先(xian)進(jin)的(de)矽(gui)技(ji)術(shu)及(ji)革(ge)命(ming)性(xing)的(de)新(xin)封(feng)裝(zhuang)技(ji)術(shu),能(neng)夠(gou)同(tong)時(shi)改(gai)善(shan)汽(qi)車(che)係(xi)統(tong)的(de)性(xing)能(neng)和(he)耐(nai)用(yong)性(xing)。特(te)別(bie)是(shi)在(zai)封(feng)裝(zhuang)方(fang)麵(mian),我(wo)們(men)為(wei)係(xi)統(tong)設(she)計(ji)師(shi)帶(dai)來(lai)創(chuang)新(xin)解(jie)決(jue)方(fang)案(an),以(yi)及(ji)設(she)計(ji)ECU、電機驅動和電源的新方法。
現今的矽技術實現了非常好的開關,例如最新的溝道MOSFET和IGBT。不過,相關的封裝技術經常利用十分保守的焊接方法把矽芯片裝貼到基片或鉛框架,並且以鍵合線連接其表麵。早在2002年,IR已(yi)經(jing)開(kai)始(shi)發(fa)展(zhan)新(xin)的(de)連(lian)接(jie)界(jie)麵(mian),希(xi)望(wang)通(tong)過(guo)簡(jian)單(dan)的(de)封(feng)裝(zhuang),就(jiu)能(neng)把(ba)我(wo)們(men)最(zui)好(hao)的(de)矽(gui)技(ji)術(shu)連(lian)接(jie)到(dao)電(dian)力(li)電(dian)路(lu),還(hai)把(ba)電(dian)流(liu)和(he)熱(re)流(liu)的(de)界(jie)麵(mian)減(jian)到(dao)最(zui)少(shao)。最(zui)終(zhong)的(de)成(cheng)果(guo)是(shi),我(wo)們(men)開(kai)發(fa)出(chu)免(mian)除(chu)鍵(jian)合(he)線(xian)的(de)DirectFET技術。這種技術的實現有賴於矽開關的正麵金屬可焊,以便使由簡單金屬外殼包圍的MOSFET可直接焊接到印刷電路板。圖1和圖2所展示的概念主要是設計簡單、盡jin量liang減jian少shao物wu料liao和he界jie麵mian,最zui特te別bie的de是shi無wu需xu再zai用yong鍵jian合he線xian去qu達da到dao最zui好hao的de電dian力li和he溫wen度du性xing能neng。此ci外wai,這zhe個ge概gai念nian也ye能neng夠gou提ti高gao汽qi車che係xi統tong的de質zhi量liang和he可ke靠kao性xing,因yin為wei它ta消xiao除chu了le汽qi車che功gong率lv周zhou期qi中zhong的de主zhu導dao失shi效xiao模mo式shi:也就是所謂的鍵合線脫離。

圖1:DirectFET焊接在PCB上。

圖2:DirectFET的橫切麵:矽芯片的溫度和電力接口盡量縮小尺寸,同時電力和溫度性能也遠遠超出采用鍵合線的標準封裝。
直接封裝概念非常適合同時要求卓越性能、質量、耐用性和長久可靠性的汽車應用。與此同時,IR優化了DirectFET概念,結果造就了我們在今年初推出、全麵汽車認可的DirectFET2產品線。有關的汽車芯片由一個小外殼包圍,讓的客戶可以為其電子控製單元和功率級引入非常創新的設計概念。這些DirectFET2開關能夠通過不同的方法散熱,包括從器件的上方散熱,免除了組件要通過PCB,甚至利用ECU外殼兩側進行冷卻的需要,也不用藉著在ECU設(she)計(ji)裏(li)的(de)其(qi)它(ta)散(san)熱(re)部(bu)分(fen)來(lai)降(jiang)低(di)溫(wen)度(du)。客(ke)戶(hu)因(yin)而(er)可(ke)生(sheng)產(chan)專(zhuan)有(you)的(de)係(xi)統(tong)解(jie)決(jue)方(fang)案(an),從(cong)而(er)在(zai)其(qi)它(ta)采(cai)用(yong)標(biao)準(zhun)封(feng)裝(zhuang)零(ling)件(jian)和(he)鍵(jian)合(he)線(xian)的(de)競(jing)爭(zheng)對(dui)中(zhong)脫(tuo)穎(ying)而(er)出(chu)。

圖3:汽車用DirectFET2的各種創新散熱方法選擇
IR將其無鍵合線策略伸延到所有汽車用的功率開關。其最新一代的IGBT也具備IR專有的正麵金屬可焊技術,提供完全沒有鍵合線的芯片連接,也為采用IGBT和二極管的高電壓係統實現了雙麵散熱概念。據我所知,IR是首家以裸芯片搭配正麵金屬可焊技術來推出商用汽車認可IGBT的公司,使擁有矽處理能力的客戶可以建立和設計它們自己的雙麵散熱無鍵合線功率模塊或功率級。有了IR的正麵金屬可焊器件,平常無法接觸專有矽技術的係統設計師,現在也可享受“無線汽車電源管理”的世界。
除了裸芯片,IR亦將提供專有的芯片載體解決方案。該方案附有正麵金屬可焊IGBT,來支持那些生產線沒有能力處理裸芯片的客戶。最先進的高性能IGBT是以非常纖薄的晶圓製造,厚度僅為60到70weimi。zhexieguijingyuanjiboqiejudanxing,jiuruzhizhangyiyang,suoyibixushiyongjiweizhuanyedechengxuheangguideqicaiquchuli。henduodiyijihedierjidexitonggongyingshangdoubuyuanyitouzizhezhongangguideqicai,yebuxiangjinglixuyaochangjiuxuexicaihuishuliandexianboxinpianchuliguocheng,gengbuxiwangyaochengshouboxinpianchuliqijianfeichanggaodelianglvhaosun。
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