中心議題：

• 屏蔽性能的指標

解決方案：

• 表麵轉移阻抗
• 轉移阻抗
• 耦合衰減
• 屏蔽係數
• 屏蔽耦合損耗

1.表麵轉移阻抗(SuRFaceTransferImpedance)
　　
按IEC61196-1測試同軸電纜的方法，測試帶屏蔽的平衡電纜，短路8根芯線後用50Ω信號源激勵。被測試線長1米，測試頻率30MHz，頻率越高，線長越短導體表麵轉移阻抗。主要用於評估連接硬件的屏蔽效率，其實測值不超過以下計算值。
　　ZTcable=37+4f+4f1/2+5f1/3
　　ZTcable：表麵轉移阻抗
，單位mΩ/m
　　f：信號頻率，單位MHz
　　
2.轉移阻抗(TransferImpedance)
　　
轉移阻抗與屏蔽電纜和連接硬件的屏蔽效率相關
，其數值可通過實驗室高頻密封箱測量屏蔽插入損耗
，計算得出。
　　


　　Ri1=Ri2=50Ω——網絡分析儀特性阻抗
　　R1=50Ω——饋電電阻
　　R2=50Ω——終端電阻
　　U1=信號發射電壓(V)
　　U2=信號接收電壓(V)
　　Uc=被測設備兩端電壓
　　Zcond=連接器特性阻抗(Ω)
　　Zt=轉移阻抗(Ω)
　　Zt=1/l電纜長度•Ri1/Ri2•(R2+Ri2)•U2/U1=100/l電纜長度•U2/U1
　　由於屏蔽插入損耗(αs)為20•lg(U2/U1)dB
，轉移阻抗(Zt)也可以表示為：
　　Zt=100•10α/20(Ω)
　　
3.耦合衰減(CouplingAttenuation)
　　
耦合衰減用於描述電纜係統的電磁兼容性能。耦合衰減Catt=Pr/Pi(Pr：線纜接收功率;Pi：在內導體上產生的噪聲功率)
　　將電纜近似看作電磁場中的全向天線，其接收到的電磁功率Pr=λ2/4π•PD(λ：信號波長，PD：電磁場功率密度)
　　內部內部導體產生噪聲功率Pi=內部導體產生噪聲功率Vi2/Z(Vi：內導體上的噪聲電壓;Z內導體阻抗，50Ω)
　　

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4屏蔽係數(GB54419-1985)
　　
按下圖裝置，測試電纜金屬護套及鎧裝層的理想屏蔽係數γ0s=VC/VS(線芯上的感應電壓mV;電纜式樣金屬套上的縱向幹擾電壓mV)。
　　

5屏蔽耦合損耗(CouplingLoss)(GY/T186-2002)
　　
GTEM小室饋入功率與被測件耦合功率的分貝差。與10.9.3耦合衰減(CouplingAttenuation)意義相同。
　　


　　
6屏蔽效能(ShieldingEffectiveness)(GY/T186-2002)
　　


　　采用GTEM小室測量無屏蔽電纜與屏蔽電纜的屏蔽耦合損耗的分貝差。