機遇與挑戰：

• 太陽能產業循環性變化非常高
• 重點是降低成本以維持一定獲利率
• 采用更薄的晶圓降低總成本

市場數據：

• 在2009年上半年平均價格降幅達25%以上
• 2010年全球太陽能需求成長40%以上

太陽能產業在2009年證明了具有非常高的循環性變化，DisplaySearch觀察14個主要的太陽能電池Cell和模塊製造商的利潤率表現，06年第一季到08年第四季的平均獲利可達15%，但2009年第一季則急遽下降到-10%，一直到2009年第二季尚呈現虧損。

主要造成產業虧損的原因為西班牙再生能源回購費率(Feed-In-Tariff)的改變
，全球經濟危機以及信貸緊縮造成需求緊縮等等。在2009年上半年，生產能力過剩和整個供應鏈的供過於求

，造成太陽能發電係統的平均價格降幅達 25%以上。然而低價格的刺激
，較為容易的融資環境，以及需求的多樣化
，加上各個國家及區域新的獎勵政策推出
，讓主要的廠商在2009年第三季順利轉虧為盈。

獎jiang勵li政zheng策ce主zhu要yao在zai於yu透tou過guo提ti高gao安an裝zhuang太tai陽yang能neng係xi統tong的de經jing濟ji價jia值zhi的de方fang法fa而er增zeng加jia需xu求qiu。但dan另ling一yi方fang麵mian
，在zai許xu多duo消xiao費fei者zhe擔dan心xin獎jiang勵li政zheng策ce會hui改gai變bian的de情qing形xing之zhi下xia，也ye有you許xu多duo需xu求qiu是shi在zai補bu貼tie政zheng策ce改gai變bian或huo取qu消xiao之zhi前qian提ti前qian發fa酵jiao。DisplaySearch太陽能研究小組指出，德國新政府將進一步降低再生能源回購費率(FIT)，將是一個需求再持續增長的重要指標。

整體而言
，在德國
，意大利，日本，美國，法國

，中國及其它地區的獎勵措施的變化或更新
，將會讓2010年全球太陽能需求成長40%以上。DisplaySearch也預測2010年太陽能電池和模塊製造商應該可以看到20%的產業平均利潤率。

太陽能電池製造商把重點放在降低成本以維持一定獲利率的同時，也將持續推動電價往Grid Parity (太陽發電成本與傳統發電成本相當)的方向進行。主要降低成本的方法包括使用較少的矽，或使用較便宜的矽。

多晶矽(Polysilicon)是主要用於製造結晶矽(c-Si)太陽能電池的晶圓材料。而其占到整體太陽能模塊成本的15%到20%。由於大量多晶矽新產能的開發以及過去這一年的需求減少，矽晶的價格自2008年下半年起因供過於求而大幅下跌，目前雖然跌勢已經趨緩

，但預計2010年仍為供過於求的狀況，因此價格將持續下降。圖二為多晶矽價格趨勢。

除了提升傳統的多晶矽生產效率之外，新的精煉技術如FBR (Fluid Bed Reactor，流體床反應器) 以及UMG (Upgraded Metallurgical Grade)等(deng)級(ji)的(de)多(duo)晶(jing)矽(gui)，將(jiang)可(ke)以(yi)進(jin)一(yi)步(bu)提(ti)供(gong)低(di)成(cheng)本(ben)的(de)多(duo)重(zhong)選(xuan)擇(ze)。不(bu)過(guo)

，由(you)於(yu)多(duo)晶(jing)矽(gui)的(de)價(jia)格(ge)下(xia)滑(hua)極(ji)快(kuai)，目(mu)前(qian)業(ye)界(jie)對(dui)於(yu)這(zhe)些(xie)新(xin)技(ji)術(shu)的(de)興(xing)趣(qu)有(you)些(xie)微(wei)減(jian)退(tui)

，但(dan) DisplaySearch太陽能研究小組判斷這些新的多晶矽生產技術依舊在未來可以發揮成本減低的作用。

此外，采用更薄的晶圓可以消耗較少的多晶矽而降低太陽能模塊的總成本。目前太陽能電池製造商已經從2000年的300微米晶圓前進到目前的 150微米晶圓，而讓多晶矽使用量降低了50%。另一方麵，在進行將晶圓(wafer)由矽錠(ingot)切割而出的製程時
，由於切割線(wire)並沒有比矽晶圓本身薄多少，因此常造成許多矽材料在切割缺口處被浪費了。
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目前開發出的新製程為采用更薄的切割線，或者采用新的切割黏液(Slurry), 甚至采用鍍上金剛石(Diamond)的切割線，用以減少矽的浪費


，並使得晶圓切割的更薄。100微米，常常被認為是傳統晶圓切片技術的極限
，但由 Silicon Genesis 所開發的新的Polymax技術可以切割到隻有20微米的單晶矽薄片。

在薄膜太陽能電池技術的部份，目前技術相當多，包含了非晶矽(a-Si)技術
，碲化鎘(CdTe)和銅銦镓硒(CIGS)等等
，不過其開發的主要的目的都是通過消除使用晶體矽的吸收層以降低成本
，薄膜技術的缺點是能源轉換效率較低。

由於設備廠商大量的提供一體到位(TurnKey)的設備，非晶矽(a-Si)廠商大幅擴產的結果已經將全球的產能由 2007年的296 MW (百萬瓦)提高2009年的1.6 GW (十億瓦) , 甚至預計2010年將達到3.0 GW (十億瓦)。然而
，由於多晶矽價格較先前預期的大幅降低，影響到非晶矽(a-Si)的需求
，因此目前大部分非晶矽產能處在產能利用率較低的窘境。

當銅銦镓硒太陽能電池技術被推出時，其目標是希望兼顧相對較高的轉換效率
，以及非常低的成本結構;甚至其轉換效率的開發目標是達到結晶係 (Crystalline)的水平。然而
，這項技術已被證明要量產有一定的難度。以全球產能來看，銅銦镓硒在2009年隻占全球太陽能電池產能的3%

，而實際量產的能力更是十分有限。

然而，仍有廠商看好CIGS的低成本而加碼投資
，DisplaySearch觀察，2010年將會新增415 MW的銅銦镓硒產能，而Solyndra以及Showa Shell Solar等公司已經計劃在不久的將來建置500 MW甚至1.0 GW工廠。

至於碲化鎘技術，目前以First Solar為領導廠商

，是目前在低成本方麵領先的太陽能技術。在2009年第三季該公司生產的模塊成本僅為0.85美元/watt。而目前First Solar 也為了因應訂單的急速增加
，預計將在2010年增加424 MW的能力。

由於該公司預測2010年每股收益(EPS)將可望在6.05-6.85美元之間，First Solar幾(ji)乎(hu)已(yi)經(jing)成(cheng)為(wei)碲(di)化(hua)鎘(ge)太(tai)陽(yang)能(neng)技(ji)術(shu)的(de)傳(chuan)奇(qi)，其(qi)技(ji)術(shu)與(yu)經(jing)營(ying)模(mo)式(shi)也(ye)的(de)確(que)為(wei)其(qi)它(ta)模(mo)塊(kuai)製(zhi)造(zao)商(shang)設(she)下(xia)榜(bang)樣(yang)，但(dan)至(zhi)今(jin)沒(mei)有(you)其(qi)它(ta)從(cong)事(shi)碲(di)化(hua)鎘(ge)技(ji)術(shu)的(de)公(gong)司(si)能(neng)夠(gou)複(fu)製(zhi)其(qi)成(cheng)功(gong)模(mo)式(shi)。

在太陽能產業，更高的轉換效率等同於降低成本
，無論是薄膜或結晶矽技術，在2010年產業將再次強調提高轉換效率的重要。Centrotherm為一家領先的德國太陽能設備公司

，其曾經指出
，轉換效率每提高0.5%，則成本可以減少約3%。

2009年是太陽能產業第一個經曆的“Solar Cycle (太陽能供需循環)”，yihoushibihuiyougengduoxunhuanfasheng
，muqiansuizhexuqiudehuisheng，dabufentaiyangnengchanyedegongyinglianyijingxunsuhuifu。suizhexuqiuzengjiahechengbenyuelaiyuedi，taiyangnengchanyezhengqidaizhemeihaode2010年。

DisplaySearch太陽能研究小組認為
，至少在2010年上半太陽能產業可以逐步邁向平均獲利率20%。至於在2010年之後
，激勵與補貼政策將決定下一個周期循環。