產品特性：

• 有最優化的導通電阻和門電容
• 保留了原本PolarP2的特性和優點
• 優化內置的反並聯二極管

應用範圍：

• 太陽能發電

IXYS公司近日發布了一種最新係列的PolarP2 MOSFET。這是IXYS快速強大的最新一代Polar-series Power MOSFET，以IXYS特有的PolarP2技術為平台的500V器件。

這些器件有最優化的導通電阻和門電容，其FOM(導通電阻/Qg)隻有12歐姆/納庫(Ω/nC)，優異的性能和節能性使開發更高效的電源係統成為可能。這些電源係統包括在能量交換和太陽能發電係統等。這些器件在開關/諧振電源、不間斷電源(UPS)、基站
、服務器、消費類電器等應用同樣是理想的。這些器件也非常適合以下應用：功率因數校正電路
、電機驅動器
、電子鎮流器
、激光驅動器、直流-直流轉換器
、自動伺服控製。

這個最新發布的PolarP2 MOSFETxiliebaohanlelianggezileibie
，tigonggeizuizhongkehugenglinghuodexitongshejiyijigeiyukehujihuiquxuanzezuijiaxingjiabideqijian。zhexiezileibiebaokuobiaozhundedisunhaobanbendePolarP2和高性能版本PolarP2 HiPerFET。

標準的PolarP2 MOSFET的額定電流有16
、24、42和52安培幾個規格。標準的PolarP2 MOSFET專門為設計者提供了高性價比的器件。和原來的一代相比
，這個新標準的版本降低了高達20%的導通電阻，同時維持低門控充電值(43nC)。這個係列器件有雪崩能量標定，為器件的瞬間過壓提供安全保障。

PolarP2 HiPerFET版本的額定電流有24、42、52
、74
、94和120安培幾個規格。這種高性能的版本保留了原本PolarP2的特性和優點，同時優化了內置的反並聯二極管，從而提升了器件的dv/dt(電容充電或放電時的電壓波形的最大斜率)能力

，提升了反向恢複速度(trr<=250ns)。HiPerFET特有優化的快速恢複二極管使得器件有以下特性：短暫的快速反應、提高能源效率
、提高耐用性以及較高的工作頻率。HiPerFET器qi件jian超chao結jie實shi的de特te性xing和he能neng量liang的de轉zhuan換huan能neng力li
，使shi得de這zhe些xie器qi件jian成cheng為wei零ling電dian壓ya開kai關guan拓tuo撲pu理li想xiang的de選xuan擇ze，因yin為wei二er極ji管guan優you異yi恢hui複fu特te性xing對dui零ling電dian壓ya切qie換huan非fei常chang重zhong要yao。