致力於能源、安全、可靠性與高性能領域，全球領先的半導體供應商美高森美公司(Microsemi Corporation)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through
，NPT)係列的三款IGBT新產品麵世：APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。該產品係列的所有器件均基於美高森美的先進Power MOS 8技術
，與競爭解決方案相比
，總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件設計用於大功率的高性能開關模式產品，比如電焊機
、太陽能逆變器和不間斷開關電源。

美高森美的1200V解決方案可與其FRED或碳化矽肖特基(Schottky)二極管組合封裝，為工程師提供高集成度解決方案

，以便簡化產品開發工作。其它特性包括：

相比競爭產品，柵極電荷(Qg)顯著減少
，具有更快的開關性能；硬開關運行頻率大於80 KHz
，實現更高效的功率轉換；易於並聯(Vcesat的正溫度係數)，提升大功率應用的可靠性；以及額定短路耐受時間(Short Circuit Withstand Time
，SCWT)，在需要短路能力的應用中實現可靠運作。

此外

，美高森美將於短期內提供采用SOT-227封裝的APT85GR120JD60器件，包含了一個60A反並聯(anti-parallel)超快恢複二極管，采用美高森美的專有“DQ”係列低開關損耗
、額定雪崩能量二極管技術製造。

封裝和供貨

美高森美公司的APT85GR120B2晶體管采用TO-247 MAX封裝
，APT85GR120L采用TO-264封裝，APT85GR120J則采用SOT-227封裝。美高森美新型NPT IGBT器件已完全滿足性能要求並在產，客戶可通過當地經銷商或美高森美銷售代表獲取樣品。

關於美高森美公司

美高森美公司(Microsemi Corporation
，紐約納斯達克交易所代號：MSCC) 為通信、國防與安全、航天
，醫療與工業
，以及新能源市場提供業界綜合性的半導體與係統解決方案係列
，包括混合信號集成電路
、係統單芯片(SoC)與專用集成電路(ASICS)、可編程模擬解決方案、功率管理產品、時鍾與語音處理器件、射頻解決方案、分立組件，以及以太網供電(PoE)IC與中跨(Midspan)產品。美高森美總部設於美國加利福尼亞州Aliso Viejo
，全球員工總數約3,000人。