主電路如圖1所示：

Q1，Q2理想的柵極(UG1,UG2)漏極(UD1,UD2)波形如圖2所示： [page]
實際輸出的漏極波形：
從實際波形中可以看出，漏極波形和理想波形存在不同：在Q1,Q2兩管同時截止的死區處都長了一個長長的尖峰，這個尖峰對逆變器/UPS性能的影響和開關管Q1,Q2的威脅是不言而喻的，這裏就不多說了。

Q1,Q2兩管漏極產生尖峰的消除

上麵我們已經分析了Q1,Q2兩管漏極產生尖峰的原因，下麵我們就來想辦法消除這個尖峰了。我想到的辦法就是Q1,Q2的漏極到電池的正極加一個開關，當然這個開關也由MOS管來充當，當然其它功率管也行。這個開關隻在Q1,Q2都截止時才導通，用電路實現如圖3所示：
由圖3可以看出

，加入D1,D2可以防止Q3,Q4寄生二極管的導通，這樣
，Q1,Q2漏極的尖峰就可以限製在D1,D2和Q3,Q4的壓降之和了，而這個壓降是很小的

，漏感的尖峰的能量也釋放回電池和C1了。
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Q1,Q2,Q3,Q4的驅動時序如圖4所示：
加入了有源嵌位後實際輸出的波形所示：
這個電路和全橋逆變電路的比較

看(kan)到(dao)這(zhe)裏(li)，大(da)家(jia)也(ye)許(xu)會(hui)說(shuo)，這(zhe)個(ge)電(dian)路(lu)和(he)全(quan)橋(qiao)電(dian)路(lu)不(bu)是(shi)一(yi)樣(yang)嗎(ma)
？你(ni)的(de)電(dian)路(lu)還(hai)多(duo)了(le)兩(liang)個(ge)二(er)極(ji)管(guan)。不(bu)錯(cuo)，這(zhe)個(ge)電(dian)路(lu)和(he)那(na)種(zhong)兩(liang)橋(qiao)臂(bi)上(shang)下(xia)管(guan)都(dou)互(hu)補(bu)的(de)全(quan)橋(qiao)電(dian)路(lu)來(lai)說(shuo)還(hai)是(shi)有(you)些(xie)相(xiang)似(si)，最(zui)大(da)的(de)不(bu)同(tong)就(jiu)是(shi)我(wo)這(zhe)個(ge)電(dian)路(lu)主(zhu)電(dian)路(lu)還(hai)是(shi)推(tui)挽(wan)
，它(ta)的(de)導(dao)通(tong)壓(ya)降(jiang)還(hai)是(shi)一(yi)個(ge)MOS管的導通壓降，而全橋電路是兩個MOS管的導通壓降！對於采用低電壓大電流電池供電的應用場合，這個電路的損耗更小
，效率更高，因為漏感的儲能比較小，Q3,Q4選型時可以比Q1,Q2電流小得多，因而節約了成本。
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實際上Q3,Q4可以隻用一個的，如圖5所示：
驅動邏輯改為
，如圖6所示：