• 可將引線電阻降至不到0.5 mΩ
• 電流承載能力高
  
  、引線溫度低、傳輸導通電阻少
• 環保、無鉛、符合RoHS

• 低導通電阻(Rds(on))的通用大負荷/高功率通孔
• 內燃機(ICE)汽車電動助力轉向係統和電池開關
• 各類微型和全混合動力汽車

全球功率半導體和管理方案供應商國際整流器公司(International Rectifier，簡稱IR) 推出采用新型WideLead TO-262封裝的車用MOSFET係列，與傳統的TO-262封裝相比
，可減少 50%引線電阻，並提高30%電流。

這款新型車用MOSFET係列適合需要低導通電阻(Rds(on))的通用大負荷/高功率通孔應用
，內燃機(ICE)汽車電動助力轉向係統和電池開關，以及各類微型和全混合動力汽車。新器件采用IR先進的矽和封裝技術，在顯著提高性能的同時可與現有的設計標準相匹配。

在標準TO-262通孔封裝中，除了MOSFET導通電阻
，源極和漏極引線電阻可增至1mΩ。新WideLead TO-262通孔封裝可將引線電阻降至不到0.5 mΩ，大大減少了引線中的傳導損耗和熱量，在特定的工作溫度下，比傳統的TO-262封裝的電流承載能力高30%。根據評估，在直流電為40A和60A的條件下
，WideLead引線溫度比標準TO-262分別低30%和39%。此外，隨著其它封裝技術的提高，WideLead比標準TO-262封裝中的同等MOSFET少傳輸20%導通電阻。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“新型WideLead TO-262封裝的設計靈感來自於DirectFET封裝超低芯片自由阻抗的出色性能
，以及傳統TO-262封裝的各種局限性。IR新型WideLead封裝中的MOSFET新係列在傳輸高電流的同時，大大降低了引線中的傳導損耗和自身熱量，從而為汽車應用提供了一個堅固可靠的解決方案。”

所有IR車用MOSFET產品都遵循IR要求零缺陷的汽車質量理念，並經過了動態和靜態器件平均測試及100%自動晶圓級目視檢查。

新器件符合AEC-Q101標準，是在IR要求零缺陷的汽車質量理念下研製而成的。它環保、無鉛，也符合電子產品有害物質管製規定 (RoHS) 。

有關產品現已接受批量訂單。

產品規格