產品特性：

• 占位麵積小、超薄
• 低導通電阻
  
  、低傳導損耗

應用範圍：

• 手機
  
  、便攜式多媒體播放器、數碼相機、電子書和平板電腦等

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布
，發布占位麵積為1.6mmx1.6mm
、高度小於0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET®功率MOSFET--SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導通的此類器件。

新款SiB437EDKT可用做智能手機、MP3播放器
、便攜式多媒體播放器、數碼相機
、電子書和平板電腦等手持設備中的負載開關。器件的熱增強Thin PowerPAK® SC-75封裝占位麵積小
，超薄的高度隻有0.65mm

，能夠實現更小、更薄的終端產品，而低導通電阻意味著更低的傳導損耗

，節約能源，並在這些設備中最大化電池的運行時間。

MOSFET可在1.5V和1.2V電dian壓ya下xia導dao通tong，能neng夠gou搭da配pei手shou持chi設she備bei中zhong常chang見jian的de更geng低di電dian壓ya的de柵zha極ji驅qu動dong和he更geng低di的de總zong線xian電dian壓ya，從cong而er省sheng去qu了le電dian平ping轉zhuan換huan電dian路lu的de空kong間jian和he成cheng本ben。在zai手shou持chi設she備bei中zhong電dian池chi電dian量liang較jiao低di，並bing且qie要yao求qiu消xiao耗hao盡jin可ke能neng少shao的de能neng量liang時shi，這zhe種zhongMOSFET尤其有用。

SiB437EDKT在4.5V、1.8V
、1.5V和1.2V下具有34mΩ、63mΩ、84mΩ和180mΩ的超低導通電阻。同樣采用1.6mmx1.6mm占位、高度小於0.8mm的最接近的P溝道器件在4.5V、1.8V和1.5V下的導通電阻為37mΩ
、65mΩ和100mΩ，這些數值分別比SiB437EDKT高8%、5%和16%。

SiB437EDKT經過了100%的Rg測試，符合IEC 61249-2-21的無鹵素規定

，符合RoHS指令2002/95/EC。MOSFET的典型ESD保護為2000V。

新款SiB437EDKT TrenchFET功率MOSFET現可提供樣品，並已實現量產
，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。