【導讀】對於功率因數校正（PFC）
，通常使用升壓轉換器Boost拓撲結構。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。同時IGBT是大功率PFC應用的最佳選擇，如空調、加熱、通風和空調（HVAC）以及熱泵。

理論上，在連續導通模式（CCM）下

，通過IGBT反向續流永遠不會發生。然而，在輕負載或瞬態條件下
，由於升壓電感Lboost和IGBT的輸出電容Coss之間的共振
，會有反向電流流過。

這個諧振電流

，iQN(t)是由以下公式給出的。

諧振期間IGBT兩端的電壓（VCE）可以得出：

當輸入電壓Vin低於輸出電壓的一半時（Vin<vout/2），開關管的電壓VCE變為負值。如果沒有與圖1中升壓PFC的IGBT並聯的反向導電路徑，這個負電壓會出現在IGBT上。如果不考慮阻尼因素，在過零點附近的反向電壓的大小理論上可以達到與輸出電壓Vout相同的量值。這對係統的長期可靠性來說是非常危險的，因為它不能保證反向電壓被施加到IGBT上。

Figure 1. PFC circuit with boost converter topology

比較用於PFC應用的不同IGBT解決方案

通過測試比較TRENCHSTOP™ 5 WR6 IGBT（IKWH30N65WR6）和TRENCHSTOP™  IGBT3（IGW30N60H3）在CCM-boost PFC電路中的工作波形，證明了這種現象。IKWH30N65WR6包含一個集成在IGBT芯片中的反向導電的二極管


，而後者的IGBT不包含反向導電的二極管。圖2顯示
，對於IKWH30N65WR6
，反向電壓被鉗位到接近零。在使用IGW30N60H3的情況下，反向電壓最高達到-241V。因此，即使在PFC的CCM模式中，反向導電二極管對於確保係統的可靠性也是至關重要的。

然而
，在這種情況下，對於短時間軟的反向恢複電流，我們不需要一個高性能的續流二極管。在圖2中，你可以看到IGBT的反向電流的峰值隻有大約200毫安，持續時間為幾微秒。

Without reverse conducting diode

With reverse conducting diode

Figure 2. Switching waveforms of IGBTs at turn-off transition in CCM PFC at light load condition

一般來說
，逆導型RC IGBT不適合於需要硬換流的應用。然而，RC IGBT對一些硬換向應用非常有利，如PFC，其中IGBT的反向續流二極管不需要有良好的反向恢複性能。在這種應用中
，當高性能的二極管是多餘的時候，它們提供了一個更經濟的選擇。

用於升壓PFC和逆變焊接應用的TRENCHSTOP™ 5 WR6 IGBT

英飛淩最新的RC IGBT，如圖3所示，是基於TRENCHSTOP™ 5 WR6 IGBT技術，其中N+區被部分植入P集電極層，形成一個內在的P-N二極管。這使得反向電流可以流動，而不需要額外的續流二極管。

Figure 3. TRENCHSTOPTM 5 WR6 IGBT using a reverse-conducting (RC) IGBT concept

這種TRENCHSTOP™ 5 WR6 IGBT非常適用於升壓PFC和逆變焊接應用。根據目標應用優化漂移區的厚度和二極管的額定值，確保了額定電流下1.4V的最佳VCE(sat)，同時保持650V的額定電壓。此外，由於其極低的少數載流子壽命，不會出現拖尾電流
，這使得TRENCHSTOP™ 5 WR6 IGBT能夠實現60kHz甚至更高的開關頻率。

當選擇TRENCHSTOP™ 5 WR6 IGBT用於不發生硬換流的PFC應用時，不需要擔心逆導型IGBT中的二極管性能問題。有了這項技術，就有可能為您的下一個設計創造經濟而可靠的係統。

參考資料

[1] E. M. Findlay and F. Udrea, “Reverse-Conducting Insulated Gate Bipolar Transistor: A Review of Current Technologies,” in IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 66, no. 1, pp. 219-231, Jan. 2019.

[2] I. Sheikhian; N. Kaminski; S. Voss; W. Scholz; E. Herweg; “Optimization of the reverse conducting IGBT for zero‐voltage switching applications such as induction cookers” Volume8, Issue3 Special Issue: Power Semiconductor Devices and Integrated Circuit, May 2014 pp. 176-181

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