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一文看懂IGBT相關知識
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的複合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。本文將為大家詳細介紹IGBT相關知識。
2019-08-12
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MOS管簡介以及判定電極、放大能力的方法
MOS場效應管即金屬-氧化物-半導體型場效應管，英文縮寫為MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor)，屬於絕緣柵型。
2019-08-05
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模擬放大電路的原理分析
放大電路是一種能量轉換器，它不可能創造能量。晶體三極管是用基極電流的微小變化控製集電極電流發生較大的變化，電子管與場效應管是用柵極電壓的微小變化控製屏極電流發生較大的變化，因此，場效應管與電子管是電壓控製器件，而晶體管是電流控製器件。
2019-08-01
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定性判斷場效應管、三極管的好壞
先用萬用表R×10kΩ擋(內置有15V電池)，把負表筆(黑)接柵極(G)，正表筆(紅)接源極(S)。給柵、源極之間充電，此時萬用表指針有輕微偏轉。再改用萬用表R×1Ω擋，將負表筆接漏極(D)，正筆接源極(S)，萬用表指示值若為幾歐姆，則說明場效應管是好的 。
2019-07-22
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恒流二極管特性及應用
恒流二極管是龐大的半導體二極管家族中的一員，它利用多數載流子的場效應原理製造而成，屬於兩端結型場效應管，工作原理類似於結型場效應管。換句話講，其技術原理是利用半導體結構的溝道夾斷方式控製並輸出恒定電流的。
2019-07-09
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使用場效應管的注意事項
場效應晶體管簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管（和金屬-氧化物半導體場效應管。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬於電壓控製型半導體器件。
2019-07-03
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場效應管發熱的解決
就是讓MOS管工作在線性的工作狀態，而不是在開關電路狀態。這也是導致MOS管發熱的一個原因。如果N-MOS做開關，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發熱。這是設計電路的最忌諱的錯誤。
2019-07-03
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詳解三極管和場效應管測量方式
將萬用表撥至R×100檔，紅表筆任意接一個腳管，黑表筆則接另一個腳管，使第三腳懸空。若發現表針有輕微擺動，就證明第三腳為柵極。
2019-06-24
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分析MOS管如何控製電流方向的方法
場效應管可應用於放大。由於場效應管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。
2019-06-11
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對更高功率密度的需求推動電動工具創新解決方案
電動工具中直流電機的配置已從有刷直流大幅轉向更可靠、更高效的無刷直流（BLDC）解決方案轉變。斬波器配置等典型有刷直流拓撲通常根據雙向開關的使用與否實現一個或兩個功率金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。另一方麵，三相BLDC配置需要三個半橋或至少六個場效應管（FET），因此從有刷電流轉向無刷電流意味著全球電動工具FET總區域市場增長了3到6倍（見圖1）。
2019-05-20
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詳解變頻器IGBT模塊的靜態測量
IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方麵的優點。
2019-05-16
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判別場效應管好壞的方法
如何判別場效應管的好壞呢？以下分別從6個方麵介紹mos管的判別方法：用測電阻法判別結型場效應管的電極，用測電阻法判別場效應管的好壞，用感應信號輸人法估測場效應管的放大能力等。
2019-04-25
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