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智能節能插座的設計
計算機外部設備(如打印機、掃描儀、音響等)的de待dai機ji能neng耗hao不bu但dan增zeng加jia了le消xiao費fei者zhe的de日ri常chang電dian費fei開kai支zhi，也ye使shi電dian力li資zi源yuan浪lang費fei極ji大da。該gai設she計ji的de計ji算suan機ji智zhi能neng節jie能neng插cha座zuo利li用yong主zhu機ji的de開kai機ji和he關guan機ji來lai帶dai動dong其qi他ta設she備bei的de開kai或huo關guan，使shi其qi接jie口kou設she備bei待dai機ji能neng耗hao為wei零ling，能neng夠gou減jian少shao計ji算suan機ji及ji其qi外wai設she所suo產chan生sheng的de輻fu射she，以yi此ci達da到dao節jie能neng和he環huan保bao功gong效xiao；同時還具備有分段定時開關的功能。該智能插座也可以通過功能轉換作為普通插座使用，不影響其他設備的使用。
2023-04-04
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設計基於 GaN 的電源係統的更簡單方法：比較市場上的集成驅動器產品
氮化镓 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT) 為電源係統設計人員提供了一個令人興奮的新選擇。與矽 MOSFET 相比，GaN HEMT 使他們能夠顯著降低開關損耗並提高電源效率，並支持更高的開關頻率，從而減小係統尺寸和重量。
2023-03-29
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引入空氣間隙以減少前道工序中的寄生電容
減少柵極金屬和晶體管的源極/漏極接觸之間的寄生電容可以減少器件的開關延遲。減少寄生電容的方法之一是設法降低柵極和源極/漏極之間材料層的有效介電常數，這可以通過在該位置的介電材料中引入空氣間隙來實現。這種類型的方式過去已經用於後道工序 (BEOL) 中，以減少金屬互連之間的電容 [1-4]。本文中，我們將專注於前道工序 (FEOL)，並演示在柵極和源極/漏極之間引入空氣間隙的SEMulator3D®模型[5]。SEMulator3D®是一個虛擬的製造軟件平台，可以在設定的半導體工藝流程內模擬工藝變量。利用SEMulator3D®設備中的實驗設計 (DoE) 功能，我們展示了寄生電容與刻蝕深度和其他用於製作空氣間隙的刻蝕工藝參數的相關性，以及它與空氣間隙大小和體積的相關性。
2023-03-27
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為什麼測量精度對 EV 性能至關重要
使(shi)用(yong)傳(chuan)感(gan)器(qi)測(ce)量(liang)電(dian)路(lu)中(zhong)不(bu)同(tong)的(de)功(gong)率(lv)相(xiang)關(guan)參(can)數(shu)時(shi)，會(hui)遇(yu)到(dao)不(bu)同(tong)的(de)挑(tiao)戰(zhan)。主(zhu)要(yao)挑(tiao)戰(zhan)是(shi)保(bao)持(chi)傳(chuan)感(gan)器(qi)和(he)電(dian)源(yuan)電(dian)路(lu)之(zhi)間(jian)的(de)電(dian)氣(qi)隔(ge)離(li)，以(yi)防(fang)止(zhi)電(dian)源(yuan)電(dian)路(lu)波(bo)動(dong)對(dui)測(ce)量(liang)的(de)影(ying)響(xiang)。高(gao)效(xiao)隔(ge)離(li)還(hai)有(you)助(zhu)於(yu)保(bao)持(chi)高(gao)頻(pin)開關電路中的測量精度，該電路極易受到這些高頻開關通過接地環路產生的噪聲的影響。
2023-03-25
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米勒電容、米勒效應和器件與係統設計對策
搞電力電子的同學想必經常被“米勒效應”這個詞困擾。米勒效應增加開關延時不說，還可能引起寄生導通，增加器件損耗。那麼米勒效應是如何產生的，我們又該如何應對呢？
2023-03-24
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如何正確選擇電感電流紋波？
在大部分開關穩壓器的數據手冊，以及大部分應用筆記和其他說明文本中，電感電流紋波建議在標稱負載工作的30%。這意味著在標稱負載電流下，電感電流波峰和電感電流波穀分別比平均電流高15%和低15%。為何選擇30%的電感電流紋波或電流紋波比(CR)可以說是不錯的折衷方案？
2023-03-22
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滿足 CAN 收發器的抗擾度要求
電動機、開關轉換器、大(da)電(dian)流(liu)驅(qu)動(dong)級(ji)和(he)振(zhen)蕩(dang)器(qi)屬(shu)於(yu)噪(zao)聲(sheng)注(zhu)入(ru)器(qi)類(lei)型(xing)，可(ke)以(yi)在(zai)電(dian)源(yuan)線(xian)上(shang)引(yin)入(ru)紋(wen)波(bo)。導(dao)航(hang)和(he)互(hu)聯(lian)網(wang)子(zi)係(xi)統(tong)等(deng)通(tong)信(xin)模(mo)塊(kuai)以(yi)及(ji)外(wai)部(bu)幹(gan)擾(rao)也(ye)會(hui)增(zeng)加(jia)噪(zao)聲(sheng)，這(zhe)些(xie)噪(zao)聲(sheng)可(ke)以(yi)傳(chuan)導(dao)或(huo)耦(ou)合(he)到(dao)敏(min)感(gan)的(de)電(dian)子(zi)設(she)備(bei)上(shang)，並(bing)有(you)可(ke)能(neng)破(po)壞(huai)它(ta)們(men)的(de)行(xing)為(wei)。在(zai)此(ci)背(bei)景(jing)下(xia)，CAN收發器仍有望成功交換數據；為此，它們必須具有很強的抗噪能力。
2023-03-18
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幾個氮化镓GaN驅動器PCB設計必須掌握的要點
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化镓（以下簡稱“GaN”）功率開關。之前我們簡單介紹過氮化镓GaN驅動器的PCB設計策略概要，本文將為大家重點說明利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動電路必須考慮的 PCB 設計注意事項。
2023-03-16
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氮化镓GaN驅動器的PCB設計策略概要
NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅動氮化镓（以下簡稱“GaN”） 功率開關。隻有合理設計能夠支持這種功率開關轉換的印刷電路板 (PCB) ，才能實現實現高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開關的全部性能優勢。本文將簡單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設計高性能 GaN 半橋柵極驅動電路的 PCB 設計要點。
2023-03-13
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升壓DC－DC穩壓器轉換為電流源進行電池充電
AX1771 DC-DC控製器內置升壓DC-DC控製器，構成簡單的開關模式電流源，可用於電池充電。電壓控製環路被禁用，以便電流控製環路提供調節。
2023-03-10
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開關電容穩壓器提供電流增益
開關dianrongdianyafanxiangqitongchangyongyucongzhengshurudianyuanchanshengfudianyuandianya。fudianyuandianliudedaxiaodengyucongshuruduanjiqudedianliu。gaishejisixiangmiaoshulelianggedianlu，tamenshiyongnibianqishishuruheshuchuzhijiandedianliujiabei，congertigaoxiaolvbingxiaochusanrewenti。
2023-03-10
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用於 GaN HEMT 的超快分立式短路保護
當今的行業需要緊湊且速度更快的電子電路，這些電路可以在高性能計算機、電動汽車、數據中心和高功率電機驅動等高功率應用中實施。實現這一壯舉的方法是提高電子設備的功率密度。矽基MOSFET具有較低的開關速度和熱效率；因此，如果不增加尺寸並因此影響功率密度，它們就不能用於高功率應用。這就是基於氮化镓 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 用於製造高功率密度電子產品的地方，適用於各行各業的不同應用。
2023-03-07
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