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ADALM2000實驗：CMOS模擬開關
理想的模擬開關不存在導通電阻，具有無窮大的關斷阻抗和零延時，可以處理大信號和共模電壓。實際使用MOS晶體管構建的模擬開關並不符合這些要求，但是如果我們了解模擬開關的局限性，多數也是可以克服的。導通電阻是其中一項局限因素，本實驗活動將嚐試表征此開關規格。
2022-02-17
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使用開關穩壓器！設計您自己的DC/DC轉換器
通過使用開關穩壓器，可以有效減少電路發熱以節約能耗。此外，開關穩壓器有助於減小散熱器尺寸，從而可以製作出更緊湊的電路以及發熱量更少的電源電路。
2022-02-16
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開關電源的用途、優點以及工作原理
電源是將來自能量源（如供電網）的電流轉換為負載（如電機或電子設備）用電所需電壓值的電氣設備。電源主要有兩種設計：線性電源和開關電源。
2022-02-15
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低邊開關關斷時的柵極 – 源極間電壓的動作
下麵是表示LS MOSFET關斷時的電流動作的等效電路和波形示意圖。與導通時的做法一樣，為各事件進行了(IV)、(V)、(VI)編號。與導通時相比，隻是VDS和ID變化的順序發生了改變，其他基本動作是一樣的。
2022-02-14
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SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作
MOSFET和IGBT等電源開關元器件被廣泛應用於各種電源應用和電源線路中。另外，所使用的電路方式也多種多樣，除單獨使用外，還有串聯連接、並聯連接等多種使用方法。
2022-02-11
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理想開關自身會帶來挑戰
隨著我們的產品接近邊沿速率超快的理想半導體開關，電壓過衝和振鈴開始成為問題。適用於SiC FET的簡單RC緩衝電路可以解決這些問題，並帶來更高的效率增益。
2022-02-10
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派恩傑SiC驅動設計新探索：如何避免誤開通？
隨著SiC 工藝逐漸成熟和成本不斷下降，SiC MOSFET憑借整體性能優於矽基器件一個數量級的優勢正逐漸普及，獲得越來越多的工程應用。相較於傳統的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的導通電阻，更快的開關速度，使得係統損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實現變換器的高效高功率密度化，因此廣泛適用於5G數據中心通信電源，新能源汽車車載充電機，電機驅動器，工業電源，直流充電樁，光伏，UPS等各類能源變換係統中。
2022-02-10
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SiC功率器件使用過程中的常見問題集（上）
由於SiC 材料具有更高的擊穿場強、更好的熱穩定性、更高的電子飽和速度及禁帶寬度，因此能夠大大提高功率器件的性能表現。相較於傳統的Si功率器件，SiC 器件具有更快的開關速(su)度(du)，更(geng)好(hao)的(de)溫(wen)度(du)特(te)性(xing)使(shi)得(de)係(xi)統(tong)損(sun)耗(hao)大(da)幅(fu)降(jiang)低(di)，效(xiao)率(lv)提(ti)升(sheng)，體(ti)積(ji)減(jian)小(xiao)，從(cong)而(er)實(shi)現(xian)變(bian)換(huan)器(qi)的(de)高(gao)效(xiao)高(gao)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)化(hua)。當(dang)前(qian)碳(tan)化(hua)矽(gui)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)主(zhu)要(yao)在(zai)新(xin)能(neng)源(yuan)汽(qi)車(che)的(de)車(che)載(zai)充(chong)電(dian)機(ji)、充電樁、計算機電源、風電逆變器、光伏逆變器、大型服務器電源、空調變頻器等領域，根據Yole估計，未來市場將有每年30% 左右的高速增長。為此，派恩傑推出1700V,1200V,650V各種電壓等級SiC MOSFET以yi應ying對dui市shi場chang需xu求qiu。在zai從cong矽gui器qi件jian到dao碳tan化hua矽gui器qi件jian使shi用yong轉zhuan變bian過guo程cheng中zhong，客ke戶hu常chang常chang會hui遇yu到dao一yi些xie疑yi問wen或huo者zhe使shi用yong問wen題ti，為wei此ci，派pai恩en傑jie針zhen對dui客ke戶hu的de問wen題ti進jin行xing歸gui納na總zong結jie並bing分fen享xiang一yi些xie解jie決jue辦ban法fa。
2022-02-09
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開關穩壓器的封裝體積正變得越來越小
開關穩壓器電路已經存在多年，用戶可以選擇使用分立式組件來設計自己的產品，也可以購買模塊化成品。如今，能夠滿足最新的效率、EMI和功率密度要求的技術讓模塊化方案獲得更多的青睞。
2022-02-09
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針對SiC串擾抑製方法的測試報告
近年來，以SiCMOSFET 為代表的寬禁帶半導體器件因其具有高開關頻率、高開關速度、高熱導率等優點，已成為高頻、高溫、高功率密度電力電子變換器的理想選擇。然而隨著SiC MOSFET開關速度加快，橋式電路受寄生參數影響加劇，串擾現象更加嚴重。由於SiC MOSFET 正向閾值電壓與負向安全電壓較小，串擾問題引起的正負向電壓尖峰更容易造成開關管誤導通或柵源極擊穿，進而增加開關損耗，嚴重時損壞開關管，因此合適的串擾抑製方法對提高變換器工作可靠性、提升其功率密度具有重要意義。
2022-02-08
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開關電源設計中的頻率選擇（上）
頻率是開關電源的一個基本屬性，它代表了直流電壓開啟和關斷的速率。了解開關頻率就可以了解實際應用中電源線路的工作原理。本文是開關頻率設計相關係列文章中的上篇。
2022-02-07
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識別並消除次諧波振蕩
DC/DC的不穩定是由多種因素造成的，例如補償參數不當或布局不足。本文將主要討論次諧波振蕩，這是一種當電流模式開關穩壓器具有連續電感電流且占空比超過 50% 時可能產生的不穩定形式，而這種振蕩會導致不穩定的電源。
2022-02-07
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