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如何將EMI控製在極低水平？這款穩壓器來助力
汽車、交通運輸和工業應用對噪聲敏感並且需要低EMI電源解決方案。傳統方法通過減慢開關邊沿或降低開關頻率來控製 EMI。這兩種方法都會產生不良的影響，例如效率下降，最短接通和關斷時間增加，以及需要采用大尺寸的解決方案。EMI 濾波器或金屬屏蔽等替代方案在所需的電路板空間、組件和裝配方麵增加了大量成本，並使熱管理和測試複雜化。
2021-08-24
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開關電源的LLC 拓撲
近來，LLC拓撲以其高效，高功率密度受到廣大電源設計工程師的青睞，但是這種軟開關拓撲對MOSFET的要求卻超過了以往任何一種硬開關拓撲。特別是在電源啟機，動態負載，過載，短路等情況下。CoolMOS 以其快恢複體二極管，低Qg 和Coss能夠完全滿足這些需求並大大提升電源係統的可靠性。
2021-08-22
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利用SiC FET降低電磁幹擾和開關損耗
器件緩衝似乎是處理開關過衝、振鈴和損耗的一種“野蠻”解決方案，而這對於諸如IGBT之類較老的技術來說確實如此。但是，寬禁帶器件，尤其是SiC FET，可以將該技術用為柵極電阻調諧的優良替代方案，以提供較低的總損耗。
2021-08-20
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直流開關電源結溫的直接測量法
設計人員經常需要測量直流開關電(dian)源(yuan)的(de)結(jie)溫(wen)。這(zhe)在(zai)溫(wen)度(du)試(shi)驗(yan)箱(xiang)中(zhong)非(fei)常(chang)難(nan)於(yu)實(shi)現(xian)，因(yin)為(wei)熱(re)像(xiang)儀(yi)不(bu)僅(jin)數(shu)據(ju)不(bu)準(zhun)而(er)且(qie)可(ke)能(neng)在(zai)高(gao)溫(wen)環(huan)境(jing)下(xia)損(sun)壞(huai)，而(er)外(wai)部(bu)溫(wen)度(du)傳(chuan)感(gan)器(qi)又(you)很(hen)難(nan)固(gu)定(ding)在(zai)小(xiao)尺(chi)寸(cun)封(feng)裝(zhuang)上(shang)。本(ben)文(wen)演(yan)示(shi)了(le)一(yi)種(zhong)利(li)用(yong)二(er)極(ji)管(guan)電(dian)壓(ya)與(yu)溫(wen)度(du)之(zhi)間(jian)關(guan)係(xi)的(de)直(zhi)流(liu)電(dian)壓(ya)讀(du)取(qu)方(fang)法(fa)，它(ta)使(shi)用(yong)電(dian)源(yuan)正(zheng)常(chang)指(zhi)示(shi) (PG) 引腳上的MOSFET 體二極管直接讀出溫度，為工程師提供了一種測量IC結溫的實用方法。
2021-08-16
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什麼是總柵極電荷（Qg）？
"總柵極電荷（Qg）是指為導通（驅動）MOSFET而注入到柵極電極的電荷量。 有時也稱為柵極總電荷。"單位為庫侖（C），總柵極電荷值較大，則導通MOSFET所需的電容充電時間變長，開關損耗增加。數值越小，開關損耗（切換損耗）越小，從而可實現高速開關。
2021-08-16
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大功率晶閘管參數解析之正向特性
功率二極管晶閘管廣泛應用於AC/DC變換器、UPS、交流靜態開關、SVC和電解氫等場合，但大多數工程師對這類雙極性器件的了解不及對IGBT的了解，為此我們組織了6篇連載，包括正向特性，動態特性，控製特性，保護以及損耗與熱特性。
2021-08-16
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齊納、PIN、肖特基和變容二極管的基礎知識及其應用
雖然傳統的矽二極管或鍺二極管在大多數電子應用中可以很好地作為整流器和開關元件使用，但它們不具備電子微調、電子衰減、低損耗整流、基準電壓生成等功能。最初，我們使用更原始、成本更高且體積更大的“蠻力”方法來完成這些任務。這些方法現在已經讓位於更精巧的特殊用途二極管，包括變容二極管、PIN 二極管、肖特基二極管和齊納二極管。
2021-08-16
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低輻射的4開關降壓-升壓型控製器布局——單熱回路與雙熱回路
汽車應用電路必須滿足嚴格的EMI標準，以避免幹擾廣播和移動服務頻段。在很多情況下，Silent Switcher®和Silent Switcher 2解決方案在滿足這些標準方麵可以發揮重要作用。但是，在任何情況下，都必須要精心布局。本文專門討論4開關降壓-升壓型控製器的兩種可能解決方案，並比較EMI室的測量結果。
2021-08-12
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UCC21520在LLC電路中的應用
LLC電路拓撲因其可以實現變壓器原邊開關管的ZVS(Zero voltage switch)開通，變壓器副邊二極管的ZCS（Zero Current switch）關斷，成為高效率高功率密度需求下的主要DC/DC拓撲，受到廣大工程師的青睞。但是實際應用中怎麼去驅動LLC的開關管呢？以全橋LLC為例，上開關管與下開關管不共地，因此我們需要隔離驅動上開關管。實際操作過程中，我們常采用兩種做法，第一種方法使用UCC27712這(zhe)一(yi)類(lei)半(ban)橋(qiao)式(shi)驅(qu)動(dong)來(lai)驅(qu)動(dong)一(yi)個(ge)半(ban)橋(qiao)，第(di)二(er)種(zhong)方(fang)法(fa)使(shi)用(yong)隔(ge)離(li)驅(qu)動(dong)加(jia)隔(ge)離(li)電(dian)源(yuan)來(lai)驅(qu)動(dong)半(ban)橋(qiao)的(de)上(shang)管(guan)。為(wei)了(le)防(fang)止(zhi)功(gong)率(lv)地(di)對(dui)控(kong)製(zhi)地(di)的(de)幹(gan)擾(rao)，目(mu)前(qian)第(di)二(er)種(zhong)隔(ge)離(li)驅(qu)動(dong)方(fang)案(an)的(de)使(shi)用(yong)越(yue)來(lai)越(yue)普(pu)遍(bian)。
2021-08-10
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N溝道耗盡型功率MOSFET的電路應用
電源係統中的恒定電流源，固態繼電器，電信開關和高壓直流線路等應用需要N溝道耗盡型功率MOSFET，當柵極至源極電壓為零時，該MOSFET用作常開的開關。本文將介紹IXYS最新的N溝道耗盡型功率MOSFET及其應用優勢，以幫助設計人員在許多工業應用中選擇這些器件。
2021-08-10
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助你輕鬆並聯增加輸出功率，這款μModule穩壓器你愛了沒？
LTM8055 是一款具 5V 至 36V 輸入範圍的降壓-升壓型 μModule®穩壓器，其可容易地通過並聯以擴展負載電流能力。該器件的四開關降壓-升壓型拓撲具有高效率，同時允許輸入電壓低於、等於或高於輸出，並可在調節模式之間實現平滑轉換。
2021-08-08
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如何選擇升壓調節器/控製器IC並使用LTspice選擇外圍組件
為升壓調節器選擇IC的過程與降壓調節器不同，主要區別在於所需輸出電流與調節器IC數據手冊規格之間的關係。在降壓拓撲中，平均電感電流基本上與負載電流相同。而升壓拓撲的情形則不一樣，它需要基於開關電流進行計算。本文介紹了升壓調節器IC（帶內部MOSFET）或控製器IC（帶外部MOSFET）的選擇標準，以及如何使用LTspice®選擇合適的外圍組件以構建完整的升壓功率級。
2021-08-01
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