多層陶瓷電容器S參數測量步驟,試驗線路板和條件
發布時間:2019-03-05 責任編輯:xueqi
【導讀】S-parameter library提供能夠用於電路設計時的仿真的芯片積層陶瓷電容器的S-parameter數據。以下將介紹S-parameter數據的測量步驟、所使用的試驗線路板、測量裝置、測量條件進行說明。
1測量步驟
以下介紹本測量的步驟。此外,主要以圖1所示的方法使用網絡分析器和測量夾具在2個端口上測量S-parameter。
1. 校正
使用SOLT (部分SOL) 校正和TRL校正2種方法進行校正。SOLT校正使用本公司生產的Short, Open, Load, Thru線路板校正低頻率側的領域。與此相反,TRL校正使用本公司生產的Thru, Reflect, Line, Match線路板校正高頻率側的領域。此外,校正基準麵是焊盤圖案的端麵。
2. 測量
將樣品焊接在線路板上,然後固定在與網絡分析器/阻抗分析器相連接的測量夾具上進行測量。
3. 抽取樣品單品的S-parameter數據
所測量的S-parameter數shu據ju雖sui然ran已yi經jing根gen據ju校xiao正zheng和he電dian氣qi長chang修xiu正zheng除chu去qu了le試shi驗yan線xian路lu板ban和he測ce量liang夾jia具ju的de特te性xing,但dan還hai包bao含han通tong孔kong和he焊han盤pan圖tu案an的de特te性xing。因yin此ci,從cong測ce量liang結jie果guo中zhong除chu去qu了le通tong孔kong和he焊han盤pan圖tu案an的de特te性xing,抽chou取qu樣yang品pin單dan品pin的deS-parameter數據。

圖1:S-parameter測量
2試驗線路板
本測量所使用的試驗線路板如下所示。圖2顯示了焊盤圖案。



圖2:焊盤圖案尺寸
3測量裝置
本測量所使用的測量裝置如下所示。
溫度補償用電容器 ※1,000pF以上的與高誘電型電容器的條件相同。
阻抗分析器: E4991A (Keysight Technologies)
網絡分析器: E5071C/N5225A (Keysight Technologies)
測量夾具: PC・SMA/PC・V (YOKOWO)
高誘電型電容器
網絡分析器: E501B/E5071C (Keysight Technologies)
測量夾具: PC・SMA (YOKOWO)
4測量條件
本測量將測量頻率範圍分為低頻率領域和高頻率領域兩種,分別采用適合各自領域的測量條件。表1、表2分別表示溫度補償用電容器及高誘電型電容器的測量條件。

表1:溫度補償用電容器測量條件
※1000pF以上的與高誘電型電容器的條件 (表2) 相同。

表2:高誘電型電容器測量條件
來源:村田製作所
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