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3個實用方法教你避免電路中的閂鎖效應

發布時間：2019-03-05 責任編輯：xueqi

【導讀】什麼是閂鎖效應？閂鎖效應 (Latch Up) 是在器件的電源引腳和地之間產生低阻抗路徑的條件。這種情況將由觸發事件（電流注入或過電壓）yinqi，danyidanchufa，jishichufatiaojianbuzaicunzai，dizukanglujingrengrancunzai。zhezhongdizukanglujingkenenghuiyouyuguodadedianliushuipingerdaozhixitongwenliuhuozainanxingsunhuai。zaishejidianluyingyongshi，xuyaoquebaoyingyongyuqijiandedianyahedianliushuipingfuhejueduizuidaedingzhiyaoqiu。

在電路設計時, 可以考慮以下建議來防止閂鎖問題。

1. 如果由於上電排序而發生閂鎖，可以利用二極管與VDD串聯。

如果任何時候器件的數字輸入或輸出都超過VDD，可以在VDD串聯二極管（如下圖使用1N914）來阻止SCR觸發和隨後的閂鎖產生。這是因為二極管能夠防止寄生橫向PNP晶體管的基極電流從VDD引腳流出，從而防止SCR觸發

2. 將肖特基二極管添加到DGND（數字地）可防止電壓不足

如果器件的數字輸入和輸出隨時低於DGND，那麼從這些輸入或輸出連接到DGND的肖特基二極管將有效地將負偏移鉗位在-0.3V至-0.4V之間。這可以防止寄生NPN晶體管的發射極與基極結導通，並且還可以防止SCR觸發。

3. 在DGND和AGND (模擬地) 之間連接肖特基二極管

如果DGND電位偶爾會超過AGND 0.3V或更多，則可以在器件兩個引腳之間放置肖特基二極管來阻止相關寄生NPN晶體管的導通。這提供了額外的防止閂鎖的保護。此外，前麵提到的反向並聯連接的額外二極管可以在另一個方向上將DGND限製到AGND，這樣就大大減少了數字噪聲被注入器件的可能性。

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