【導讀】相移全橋電路中輕負載時流過的電流小，L_S中積蓄的能量少，所以很有可能在滯後臂的C_OSS充放電完成之前就開始開關工作。因此，ZVS工作無法執行
，很容易發生MOSFET的導通損耗。

另一方麵
，當超前臂的MOSFET的C_OSS充放電時，能量通過變壓器被輸送到二次側。參考前麵的思路
，通過能量收支來考慮ZVS的成立條件時，以Mode（2）為例
，假設相移全橋電路的變壓器的匝比為n，則超前臂的ZVS成立條件可用下麵的公式來表示。I_L2是Mode（1）結束時的I_L
，E_{OSS_Q1}和E_{OSS_Q2}分別是完成Q1和Q2的C_OSS充放電所需的能量。

在實際的電路工作中，需要設置Dead Time來防止上下臂短路。如上所述
，在輕負載時，滯後臂MOSFET的充放電可能尚未完成


，即可能會有漏極電壓V_DS殘留（成為硬開關），因此，在某些Dead Time的設置
，可能會導致滯後臂MOSFET的導通損耗增加。因此
，在設置Dead Time時需要注意這一點。

下圖是在Dead Time優化和未優化情況下導通時的示意圖。

在Dead Time未優化的情況下
，會瞬間流過很大的漏極電流ID。這是由於受到了兩種電流的影響：第一種是柵極-漏極間電容C_GD和柵極-源極間電容C_GS的電容比，導致柵極-源極間電壓V_GS超過了閾值電壓，從而引起的直通電流；另一種是對應橋臂MOSFET的C_OSS的充電電流。其中，後者C_OSS的充電電流在硬開關工作時一定會產生，但前者的直通電流則可以通過設置MOSFET的C_GD和C_GS的適當電容比來防止。因此，選擇C_GD和C_GS的電容比適當的MOSFET很重要。

關鍵要點

●     輕負載時，電流小
，L_S中積蓄的能量少，因此很有可能在C_OSS的充放電完成之前就開始開關工作
，致使ZVS工作無法執行，容易發生MOSFET的導通損耗。

●     C_OSS的充放電未完成可能會導致V_DS殘留，因此需要設置適當的Dead Time來防止上下橋臂短路引起的直通電流。

●     MOSFET的C_GD和C_GS的某些電容比可能會導致流過直通電流，因此選擇該電容比適當的MOSFET很重要。

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