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均衡電流，實現車規智能驅動器的最佳性能

在汽車電源管理係統中做分布式智能設計時，對於智能功率開關，確(que)保(bao)保(bao)護(hu)機(ji)製(zhi)是(shi)否(fou)真(zhen)正(zheng)實(shi)現(xian)了(le)智(zhi)能(neng)至(zhi)關(guan)重(zhong)要(yao)，尤(you)其(qi)是(shi)在(zai)涉(she)及(ji)多(duo)通(tong)道(dao)驅(qu)動(dong)器(qi)的(de)場(chang)景(jing)中(zhong)，因(yin)為(wei)即(ji)使(shi)是(shi)輕(qing)微(wei)的(de)電(dian)流(liu)失(shi)衡(heng)或(huo)意(yi)外(wai)的(de)負(fu)載(zai)短(duan)路(lu)都(dou)會(hui)影(ying)響(xiang)保(bao)護(hu)效(xiao)果(guo)。

2024-01-30
利用低電平有效輸出驅動高端MOSFET輸入開關以實現係統電源循環

在(zai)無(wu)線(xian)收(shou)發(fa)器(qi)等(deng)應(ying)用(yong)中(zhong)，係(xi)統(tong)一(yi)般(ban)處(chu)於(yu)偏(pian)遠(yuan)地(di)區(qu)，通(tong)常(chang)由(you)電(dian)池(chi)供(gong)電(dian)。由(you)於(yu)鮮(xian)少(shao)有(you)人(ren)能(neng)夠(gou)前(qian)往(wang)現(xian)場(chang)進(jin)行(xing)幹(gan)預(yu)，此(ci)類(lei)應(ying)用(yong)必(bi)須(xu)持(chi)續(xu)運(yun)行(xing)。係(xi)統(tong)持(chi)續(xu)無(wu)活(huo)動(dong)或(huo)掛(gua)起(qi)後(hou)，需(xu)要(yao)複(fu)位(wei)係(xi)統(tong)以(yi)恢(hui)複(fu)操(cao)作(zuo)。為(wei)了(le)實(shi)現(xian)係(xi)統(tong)複(fu)位(wei)，可(ke)以(yi)切(qie)斷(duan)電(dian)源(yuan)電(dian)壓(ya)，斷(duan)開(kai)係(xi)統(tong)電(dian)源(yuan)，然(ran)後(hou)再(zai)次(ci)連(lian)接(jie)電(dian)源(yuan)以(yi)重(zhong)啟(qi)係(xi)統(tong)。

2024-01-24
I-NPC三電平電路的雙脈衝及短路測試方法

雙脈衝測試(DPT)是一種被廣泛接受的評估功率器件動態特性的方法。以IGBTzailiangdianpingqiaoshidianluzhongyingyongweili，ruxiatu，tongguotiaojiezhiliumuxiandianyahediyigemaichongchixushijian，keyizaidiyigemaichongjieshuhediergemaichongkaishishibuzhuodaobeiceqijianzairenhesuoxudedianyahedianliutiaojianxiade開關瞬態行為。DPT結果量化了功率器件的開關性能，並為功率變換器的設計（如開關頻率和死區時間的確定、熱管理和效率評估）提供了參考依據，那麼對於三電平電路，雙脈衝測試需要怎麼做呢？

2024-01-24
高壓MOS在適配器產品上的應用

電源適配器，英文Adapter通常指AC-DC（由交流輸入轉換為直流輸出）的開關電源；一般由控製 IC、MOS管、整流肖特基管、電阻電容、磁性材料、DC 線、外殼等元器件及部件組成，通過整流、變壓和穩壓等轉換形式，為電子設備等提供所需要的電能形態。

2024-01-10
常見三相PFC結構的優缺點分析，一文get√

為了滿足應用的要求，為PFCxuanzedetuopujiegoushiyigezhongyaokaolvyinsu，tamenjiangjuedingzhengtidejiejuefanganhexingneng。ciwai，bingfeisuoyoutuopujiegoudoukeyimanzusuoyouyaoqiu，jiuxiangbingfeisuoyoutuopujiegoudouzhichisandianping開關或雙向性。之前我們介紹過三相功率因數校正係統的優點和設計三相PFC時的注意事項，本文將介紹一些常見的三相拓撲結構並討論它們的優缺點。

2024-01-04
功率電子器件從矽（Si）到碳化矽（SiC）的過渡

眾所周知，矽（Si）材料及其基礎上的技術方向曾經改變了世界。矽材料從沙子中提煉，構築了遠比沙土城堡更精密複雜的產品。如今，碳化矽（SiC）材料作為一種衍生技術進入了市場——相比矽材料，它可以實現更高功率等級的功率轉換、更快的開關速度、傳熱效率上也優於矽材料。本篇博客探討了SiC材料如何提升產品性能以超越基於矽材料的領域，從而為我們全新的數字世界創造下一代解決方案。

2023-12-25
如何在下一代 MCU 應用中實現投影顯示

晶閘管是一種具有S形電流-電(dian)壓(ya)特(te)性(xing)的(de)半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)。它(ta)們(men)是(shi)一(yi)種(zhong)帶(dai)有(you)狀(zhuang)態(tai)存(cun)儲(chu)器(qi)的(de)托(tuo)管(guan)按(an)鍵(jian)，當(dang)控(kong)製(zhi)信(xin)號(hao)施(shi)加(jia)到(dao)晶(jing)閘(zha)管(guan)的(de)輸(shu)入(ru)時(shi)，它(ta)們(men)就(jiu)會(hui)打(da)開(kai)。當(dang)使(shi)用(yong)直(zhi)流(liu)電(dian)時(shi)，可(ke)以(yi)通(tong)過(guo)去(qu)掉(diao)電(dian)源(yuan)電(dian)壓(ya)來(lai)關(guan)斷(duan)晶(jing)閘(zha)管(guan)。晶(jing)閘(zha)管(guan)的(de)一(yi)個(ge)重(zhong)大(da)且(qie)不(bu)可(ke)避(bi)免(mian)的(de)缺(que)點(dian)是(shi)它(ta)們(men)具(ju)有(you)低(di)輸(shu)入(ru)阻(zu)抗(kang)，重(zhong)要(yao)的(de)是(shi)，它(ta)們(men)不(bu)具(ju)有(you)調(tiao)整(zheng)開關閾值的能力。

2023-12-25
LLC拓撲結構如何在更低負載下進入打嗝模式

在ACDC開關電源設計過程中，當需要實現高效率設計需求時，工程師往往會考慮LLC諧振半橋拓撲結構。LLC拓撲結構可以實現軟開關，因此在開關電源設計尤其是在大功率的開關電源設計過程中往往具有優勢。目前市麵上經常可以看到的NCP1399以及NCP13992係列就是安森美(onsemi)LLC拓撲結構控製芯片家族的代表成員。

2023-12-22
具有受控開關閾值的晶閘管模擬

晶閘管是一種具有S形電流-電(dian)壓(ya)特(te)性(xing)的(de)半(ban)導(dao)體(ti)器(qi)件(jian)。它(ta)們(men)是(shi)一(yi)種(zhong)帶(dai)有(you)狀(zhuang)態(tai)存(cun)儲(chu)器(qi)的(de)托(tuo)管(guan)按(an)鍵(jian)，當(dang)控(kong)製(zhi)信(xin)號(hao)施(shi)加(jia)到(dao)晶(jing)閘(zha)管(guan)的(de)輸(shu)入(ru)時(shi)，它(ta)們(men)就(jiu)會(hui)打(da)開(kai)。當(dang)使(shi)用(yong)直(zhi)流(liu)電(dian)時(shi)，可(ke)以(yi)通(tong)過(guo)去(qu)掉(diao)電(dian)源(yuan)電(dian)壓(ya)來(lai)關(guan)斷(duan)晶(jing)閘(zha)管(guan)。晶(jing)閘(zha)管(guan)的(de)一(yi)個(ge)重(zhong)大(da)且(qie)不(bu)可(ke)避(bi)免(mian)的(de)缺(que)點(dian)是(shi)它(ta)們(men)具(ju)有(you)低(di)輸(shu)入(ru)阻(zu)抗(kang)，重(zhong)要(yao)的(de)是(shi)，它(ta)們(men)不(bu)具(ju)有(you)調(tiao)整(zheng)開關閾值的能力。

2023-12-22
適配於氮化镓開關器件的高頻小體積照明電源方案

隨sui著zhe物wu聯lian網wang，尤you其qi是shi智zhi能neng照zhao明ming和he智zhi能neng家jia居ju的de發fa展zhan，高gao效xiao高gao性xing能neng的de小xiao體ti積ji電dian源yuan越yue來lai越yue被bei市shi場chang所suo需xu求qiu。如ru何he能neng在zai電dian源yuan體ti積ji做zuo得de更geng小xiao的de情qing況kuang下xia，依yi然ran能neng夠gou保bao證zheng最zui好hao的de性xing能neng？安an森sen美mei(onsemi)提供基於NCL2801+NCP13992的一整套你所需要的方案：適配於氮化镓（GaN）開關器件，工作於高頻開關頻率場合下的小體積PFC & LLC方案。

2023-12-20
SiC MOSFET用於電機驅動的優勢

低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關頻率（50-100kHz）來維持所需的紋波電流。然而，對於50kHz以上的調製頻率使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）無法滿足這些需求，如果是380V係統，矽MOSFET耐壓又不夠，這就為寬禁帶器件開創了新的機會。

2023-12-20
集成理想二極管、源選擇器和eFuse有助於增強係統魯棒性

理想二極管使用低導通電阻功率開關（通常為MOSFET）來模擬二極管的單向電流行為，但沒有二極管的壓降損失。借助額外的背靠背MOSFET和控製電路，該解決方案可以提供更多的係統控製功能，例如優先源選擇、限流、浪lang湧yong限xian製zhi等deng。在zai傳chuan統tong解jie決jue方fang案an中zhong，這zhe些xie功gong能neng分fen散san在zai不bu同tong的de控kong製zhi器qi中zhong，因yin此ci實shi現xian完wan整zheng的de係xi統tong保bao護hu會hui很hen複fu雜za且qie麻ma煩fan。這zhe裏li我wo們men將jiang研yan究jiu理li想xiang二er極ji管guan的de主zhu要yao電dian路lu規gui格ge，並bing介jie紹shao一yi個ge應ying用yong示shi例li和he新xin的de理li想xiang二er極ji管guan解jie決jue方fang案an，該gai解jie決jue方fang案an還hai在zai單dan個geIC中集成了實現整體係統保護所需的其他功能。

2023-12-18

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