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應用於變電站直流係統的新型高頻開關充電電源

目前，在國內市場上應用的充電電源主要有磁飽和充電機、晶閘管zhengliuqihegaopinkaiguanchongdiandianyuandengsanlei，qizhongqianerzhejishuchengshu，tuiguangyingyongdeshijianyijiu，shiyongmianyehenguang。danyouyushoukongzhijishuheyuanqijiantexingdexianzhi，rengcunzaixuduobuzuzhichu。

2013-01-07
如何將快速晶閘管KK400和KK1000應用於某加速器電源係統中

脈衝功率技術是一種能量密度“壓縮”技術,它通過開關的瞬時導通把較長時間內儲存的能量在很短的時間(μs或ns量級)內釋放出來,形成幅度達數十kA甚至數百kA的強電流脈衝。

2013-01-07
淺析采取低閃變控製方式的新型整流電源

與交流電弧爐相比，直流電弧爐對電網的幹擾和衝擊以及給電網造成的閃變要小得多。但是整流器整流輸出電壓Ud是晶閘管觸發角α的函數，為了降低整流輸出電壓，必須增大α，這會增大交流電壓和交流電流之間相移因數φ，因此增加了無功功率損耗，同時也降低了功率因數，為了使無功功率損耗盡可能小，電弧爐變壓器要有抽頭切換開關。

2012-12-31
淺談如何用晶閘管交流電子開關解決電鐵諧波問題

電氣化鐵路（以下簡稱電鐵）的諧波問題是一個關係到公用電網電能質量和電鐵順利建設的重大問題, 我國從80 年代處就開始致力研究、解決這一問題。串聯補償裝置可以在一定程度上解決這一問題, 而且由於其技術難度低、投資小、易於實現, 因而在單線電鐵的複線改造工程中顯示出了極大的優越性。

2012-12-29
MOS晶體管

金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-SEMIconductor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，而PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC。MOS柵極控製晶閘管充分地利用晶閘管良好的通態特性、優良的開通和關斷特性，可望具有優良的自關斷動態特性、非(fei)常(chang)低(di)的(de)通(tong)態(tai)電(dian)壓(ya)降(jiang)和(he)耐(nai)高(gao)壓(ya)，成(cheng)為(wei)將(jiang)來(lai)在(zai)電(dian)力(li)裝(zhuang)置(zhi)和(he)電(dian)力(li)係(xi)統(tong)中(zhong)有(you)發(fa)展(zhan)前(qian)途(tu)的(de)高(gao)壓(ya)大(da)功(gong)率(lv)器(qi)件(jian)。目(mu)前(qian)世(shi)界(jie)上(shang)有(you)十(shi)幾(ji)家(jia)公(gong)司(si)在(zai)積(ji)極(ji)開(kai)展(zhan)對(dui)MCT的研究。 MOS柵控晶閘管主要有三種結構：MOS場控晶閘管（MCT）、基極電阻控製晶閘管(BRT)及射極開關晶閘管(EST)。

2012-12-13
如何減小感應加熱電源諧波電流

傳統感應加熱電源整流變換一般采用晶閘管相xiang控kong整zheng流liu或huo二er極ji管guan不bu控kong整zheng流liu方fang式shi，為wei獲huo得de較jiao為wei穩wen定ding的de直zhi流liu電dian壓ya，整zheng流liu後hou往wang往wang采cai用yong大da電dian容rong儲chu能neng兼jian濾lv波bo，導dao致zhi電dian網wang輸shu入ru側ce功gong率lv因yin數shu非fei常chang低di，電dian流liu畸ji變bian，對dui電dian網wang造zao成cheng諧xie波bo汙wu染ran;此外，還對周圍及自身係統的信號產生嚴重的電磁幹擾，係統效率降低。為了減小諧波電流、提高功率因數，有必要采用功率因數校正技術(APFC)。

2012-12-11
晶閘管及其應用？

晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，由PNPN四層半導體材料構成，它有三個極：陽極，陰極和門極。晶閘管是在晶體管基礎上發展起來的一種大功率半導體器件，在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。

2012-12-07
可為耦合變壓器芯片提供強大保護的晶閘管

Littelfuse研發出了新的SDP係列SOT23-5 SIDACtor 保護晶閘管，為VDSL2+、ADSL2應用提供第三級保護方案，SOT23-5表麵貼裝封裝可減少布局占用空間，背對背配置可為數據線提供對稱ESD保護，存在交流信號時也可使用。

2012-11-29
晶閘管觸發電路

晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控矽整流器，以前被簡稱為可控矽；1957年美國通用電器公司開發出世界上第一款晶閘管產品，並於1958年將其商業化；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個極：陽極，陰極和門極；晶閘管具有矽整流器件的特性。

2012-11-29
雙向晶閘管的分類

據小編所知雙向晶閘管是由N-P-N-P-N五層半導體材料製成的，對外也引出三個電極，其結構如圖所示。雙向晶閘管相當於兩個單向晶閘管的反向並聯，但隻有一個控製極。盡管從形式上可將雙向晶閘管看成兩隻普通晶閘管的組合，但實際上它是由7隻晶體管和多隻電阻構成的功率集成器件。小功率雙向晶閘管一般采用塑料封裝，有的還帶散熱板。大功率雙向晶閘管大多采用RD91型封裝

2012-11-29
雙向晶閘管的過零檢測電路該如何設計？

雙向可控矽是一種功率半導體器件，也稱雙向晶閘管，在(zai)單(dan)片(pian)機(ji)控(kong)製(zhi)係(xi)統(tong)中(zhong)，可(ke)作(zuo)為(wei)功(gong)率(lv)驅(qu)動(dong)器(qi)件(jian)，由(you)於(yu)雙(shuang)向(xiang)可(ke)控(kong)矽(gui)沒(mei)有(you)反(fan)向(xiang)耐(nai)壓(ya)問(wen)題(ti)，控(kong)製(zhi)電(dian)路(lu)簡(jian)單(dan)，因(yin)此(ci)特(te)別(bie)適(shi)合(he)做(zuo)交(jiao)流(liu)無(wu)觸(chu)點(dian)開(kai)關(guan)使(shi)用(yong)。

2012-11-28
什麼是可控矽

可控矽，是可控矽整流元件的簡稱，是一種具有三個PN 結的四層結構的大功率半導體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結構相對簡單、功能強等特點，是比較常用的半導體器件之一。

2012-11-28

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