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超越傳統繼電器：深入探討固態繼電器（SSR）的技術優勢與應用實踐
固態繼電器（Solid State Relay，簡稱 SSR ）是一種全部由固態電子元件（如半導體器件、電阻、電容等）組成的無觸點開關器件。它利用電子元器件的電、磁和光特性實現輸入與輸出之間的電氣隔離，並通過功率半導體器件（如晶閘管、MOSFET等）的開關特性，來無觸點、無火花地接通和斷開被控電路。簡而言之，SSR是一個用“電信號”控製“大功率負載”的無聲開關。
2025-11-04
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晶閘管選型與應用實戰指南：多維參數平衡與場景化設計深度解析
在電力電子領域，晶閘管猶如一把掌控電能流向的智能鑰匙，憑借其獨特的單向導通特性和強大的功率處理能力，在工業控製、能neng源yuan轉zhuan換huan等deng領ling域yu持chi續xu發fa揮hui著zhe重zhong要yao作zuo用yong。隨sui著zhe電dian力li係xi統tong複fu雜za度du的de提ti升sheng，如ru何he科ke學xue選xuan型xing並bing充chong分fen發fa揮hui其qi性xing能neng，已yi成cheng為wei工gong程cheng師shi必bi須xu掌zhang握wo的de核he心xin技ji能neng。
2025-04-08
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第1講：三菱電機功率器件發展史
三菱電機從事功率半導體開發和生產已有六十多年的曆史，從早期的二極管、晶閘管，到MOSFET、IGBT和SiC器件，三菱電機一直致力於功率半導體芯片技術和封裝技術的研究探索，本篇章帶你了解三菱電機功率器件發展史。
2024-08-01
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如何在下一代 MCU 應用中實現投影顯示
晶閘管是一種具有S形電流-電壓特性的半導體器件。它們是一種帶有狀態存儲器的托管按鍵，當控製信號施加到晶閘管的輸入時，它們就會打開。當使用直流電時，可以通過去掉電源電壓來關斷晶閘管。晶閘管的一個重大且不可避免的缺點是它們具有低輸入阻抗，重要的是，它們不具有調整開關閾值的能力。
2023-12-25
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具有受控開關閾值的晶閘管模擬
晶閘管是一種具有S形電流-電壓特性的半導體器件。它們是一種帶有狀態存儲器的托管按鍵，當控製信號施加到晶閘管的輸入時，它們就會打開。當使用直流電時，可以通過去掉電源電壓來關斷晶閘管。晶閘管的一個重大且不可避免的缺點是它們具有低輸入阻抗，重要的是，它們不具有調整開關閾值的能力。
2023-12-22
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超小尺寸，支持 750 V浪湧峰壓的SCR，是智能斷路器開發首選
X0115ML是一款由 ST設計的緊湊型可控矽整流器 (SCR)，用於接地故障斷路器 (GFCI)和電弧故障 斷路器 (AFCI)。它具有 750V的斷態浪湧 峰值電壓 ，並采用 SOT23-3L微型 封裝 (2.75mmx3.10mm)，可能是目前市場上最小的晶閘管 。使用 X0115ML可以大大節省電路板空間 ，並且讓工業應用具有600V的斷態重複峰值電壓 。此外 ，該產品的爬電距離為1.1mm，滿足了UL 840規範 120VAC無塗層絕緣的要求 。
2023-11-26
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晶閘管在UPS旁路應用中的損耗計算
功率晶閘管廣泛應用於AC/DC變換器，UPS旁路等場合。本文通過公式計算和在線IPOSIM仿真兩種方式，對晶閘管在UPS旁路應用中的損耗計算和結溫預估進行說明，給廣大工程師在晶閘管選型時提供幫助。晶閘管在AC/DC整流應用中的損耗計算，請參考微信文章《PIM模塊中整流橋的損耗計算》。
2023-08-03
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晶閘管是怎麼調節燈泡亮度的？
那有什麼辦法可以控製這個燈的亮度嗎？當然有了，那就是晶閘管，它是很重要的，交流控製器件，比如調節交流電的燈光亮度，調節電水壺水溫，還有風扇無極調速，都可以用晶閘管實現。
2023-06-23
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SMPD先進絕緣封裝充分發揮SiC MOSFET優勢
SMPD可用於標準拓撲結構，如降壓、升壓、橋臂(phase-leg)，甚至是定製的組合。它們可用於各種技術產品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控矽，或定製組合，具有從40V到3000V不同電壓等級。
2023-06-07
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可控矽工作解析
可控矽又叫晶閘管，和其它半導體器件一樣，具有體積小、效率高、穩定性好、工作可靠等優點。可控矽作為非常成熟的半導體器件，從弱電到強調，消費電子到工業等都得到廣泛應用，可以作為整流、無觸點電路開關以及逆變應用等，本章重點對於其結構以及等效電路展開分析，有助於讀者加深對於可控矽產品的了解與認知。
2023-04-25
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針對高壓應用優化寬帶隙半導體器件
自從寬帶隙材料被引入各種製造技術以來，通過使用MOSFET、晶閘管和 SCR等功率半導體器件就可以實現高效率。為了優化可控製造技術，可以使用特定的導通電阻來控製係統中的大部分功率器件。對於功率 MOSFET，導通電阻仍然是優化和摻雜其單元設計的關鍵參數。電導率的主要行業標準是材料技術中的特定導通電阻與擊穿電壓（R sp與 V BD ）。
2023-04-13
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簡述SiC MOSFET短路保護時間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT），隻要器件短路時間不超過這個SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導致的寄生晶閘管開通latch up除外，本篇不討論）。
2022-12-22
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